[특허]SiC MOSFET 전력 반도체 소자

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SiC MOSFET 전력 반도체 소자 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	한국(KR)/등록특허	크게보기
국제특허분류(IPC8판)	H01L-029/78 H01L-021/02 H01L-021/762 H01L-021/8234 H01L-029/16 H01L-029/423 H01L-029/66
출원번호	10-2018-0156161 (2018-12-06)
등록번호	10-2100863-0000 (2020-04-08)
DOI	http://doi.org/10.8080/1020180156161
발명자 / 주소	김태엽 / 서울특별시 성북구 길음로 *, 동 ***호
출원인 / 주소	현대오트론 주식회사 / 서울특별시 강남구 테헤란로*길 (삼성동)
대리인 / 주소	김남식; 이인행; 김한
심사청구여부	있음 (2018-12-06)
심사진행상태	등록결정(일반)
법적상태	등록

초록 ▼

본 발명의 SiC MOSFET 전력 반도체 소자는 제 1 도전형의 드리프트층을 포함하는 기판; 상기 기판의 상부에 형성되되 제 1 도전형의 SiC 에피층; 상기 SiC 에피층 상부에 형성된 게이트 산화막 및 게이트 전극을 구비하는 게이트 구조체; 상기 게이트 구조체의 양측에 각각 형성된 제 2 도전형의 웰 영역; 상기 웰 영역 내에 형성되되 상기 게이트 구조체에 접하는 제 1 도전형의 소스 영역; 상기 SiC 에피층에 형성되되 상기 게이트 구조체의 양측에 각각 배치된 트렌치 산화물 패턴; 및 상기 SiC 에피층과 트렌치 산화물 패턴

대표청구항 ▼

제 1 도전형의 드리프트층을 포함하는 기판;상기 기판의 상부에 형성되되 제 1 도전형의 SiC 에피층;상기 SiC 에피층 상부에 형성된 게이트 산화막 및 게이트 전극을 구비하는 게이트 구조체;상기 게이트 구조체의 양측에 각각 형성된 제 2 도전형의 웰 영역;상기 웰 영역 내에 형성되되 상기 게이트 구조체에 접하는 제 1 도전형의 소스 영역;상기 SiC 에피층에 형성되되 상기 게이트 구조체의 양측에 각각 배치된 트렌치 산화물 패턴; 및상기 SiC 에피층과 트렌치 산화물 패턴 사이에 개재된 제 2 도전형의 도핑 영역; 을 포함하며,상기

이 특허에 인용된 특허 (4)

[한국] 전력용 반도체소자 및 그 제조방법 | 샬라, 아쇼크, 엘번호이, 알란, 코콘, 크리스토퍼 비., 삽, 스티븐 피., 윌슨, 피터 에이치., 사니, 바바크 에스.
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[한국] 트렌치형 필러 옥사이드를 이용한 탄화규소 슈퍼정션 모스펫 및 그 제조방법 | 강태영, 경신수
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[미국] SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | IWASAKI, Shinya
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[일본] SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ITS METHOD FOR MANUFACTURING | MATSUKI HIDEO, OKUNO HIDEKAZU, SUZUKI MASAHIRO
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특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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