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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.16 no.10, 2003년, pp.853 - 858
박훈수 (위덕대학교 인터넷IT공학부) , 김종대 (한국전자통신연구원) , 김상기 (한국전자통신연구원) , 이영기 (위덕대학교 인터넷IT공학부)
In this study, a new simplified technology for fabricating high density trench gate DMOSFETs using only three mask layers and TEOS/nitride spacer is proposed. Due to the reduced masking steps and self-aligned process, this technique can afford to fabricate DMOSFETs with high cell density up to 100 M...
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