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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.7, 2004년, pp.713 - 717
박훈수 (위덕대학교 반도체전자공학부) , 구진근 (한국전자통신연구원 다기능소자) , 이영기 (위덕대학교 반도체전자공학부)
In this study, the etched trench properties including cross-sectional profile, surface roughness, and crystalline defects were investigated depending on the various silicon etching and additive gases, For the case of HBr
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