[논문]친수성 고분자를 이용한 고정입자패드의 텅스텐 CMP

박범영; 김호윤; 김형재; 김구연; 정해도

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[국내논문] 친수성 고분자를 이용한 고정입자패드의 텅스텐 CMP
Tungsten CMP in Fixed Abrasive Pad using Hydrophilic Polymer 원문보기

한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.21 no.7 = no.160, 2004년, pp.22 - 29

박범영 (부산대학교 대학원 정밀기계공학과) , 김호윤 , 김형재 (부산대학교 대학원 정밀기계공학) , 김구연 (부산대학교 대학원 정밀기계공학) , 정해도 (부산대학교 정밀정형 및 금형가공 연구소)

Abstract ▼ AI-Helper

As a result of high integration of semiconductor device, the global planarization of multi-layer structures is necessary. So the chemical mechanical polishing(CMP) is widely applied to manufacturing the dielectric layer and metal line in the semiconductor device. CMP process is under influence of polisher, pad, slurry, and process itself, etc. In comparison with the general CMP which uses the slurry including abrasives, fixed abrasive pad takes advantage of planarity, resulting from decreasing pattern selectivity and defects such as dishing & erosion due to the reduction of abrasive concentration especially. This paper introduces the manufacturing technique of fixed abrasive pad using hydrophilic polymers with swelling characteristic in water and explains the self-conditioning phenomenon. And the tungsten CMP using fixed abrasive pad achieved the good conclusion in terms of the removal rate, non-uniformity, surface roughness, material selectivity, micro-scratch free contemporary with the pad life-time.

주제어

참고문헌 (9)

Jeong, H. D., Kim, H. Y., 'Eco-process in Semiconductor Manufacturing Process,' J. of KSPE, Vol. 18, No, 9, pp. 25-30, 2001

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Kim, H. Y., Kim, H. J., Jeong, H. D., 'Development of an Abrasive Embedded Pad for Dishing Reduction and Uniformity Enhancement,' J of KPS, Vol. 37, No. 6, pp. 948-951
Steigerwald, J. M., Zirpoli, R., Murarka, S. P., Price, D., Gutmann, R., 'Pattern Geometry Effects in the Chemical Mechanical Polishing of Inlaid Copper Structures,' J. Electrochem. Soc., Vol. 141, No. 10, pp. 2842-2848, 1994

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Smekalin, K., Fertig, D., 'Microscale Dishing Effect in a Chemical Mechanical Planarization Process for Trench Isolation,' J. Electrochem. Soc., Vol. 143, No. 12, pp. 1281-1283, 1996

상세보기
Lum, R., Mishra, S., Lin, R., Redeker, F., Nanjangud, S., ' Oxide Erosion Characterization of a Tungsten CMP Process', CMP-MIC Conf., pp. 207-214, 1999
Seo, H. D., Lee, S. H., Jeong, H. D., 'Characterization of the Composite Conditioning Aided by Ultrasonic Vibration,' Electrochem. Soc. Proceedings, Vol. 99-37, pp. 445-451, 2000
Kim, H. G., 'A Study on Chemical Mechanical Planarization of Interlayer Dielectric Organic Film for Semiconductor Process,' Hanyang Univ., pp. 9-10, 1999
Samsung Electronics Co., Ltd., 'CMP Slurry for Metal Film and its Method,' Korea Patent, No. 1999-0085105
Samsung Electronics Co., Ltd., 'Cleaning Solution, its Manufacturing Method, and its Cleaning Method,' Korea Patent, No. 1998-027525

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