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제안 방법
- 트렌치 형태로 게이트를 형성함으로써 일반적인 LDMOSFET 과 비교해 볼 때, 같은 수평 크기에서도 더 높은 항복 전압을 얻을 수 있으며 또한 저항을 감소시킬 수 있는 것은 물론이고 레치업등의 특성 개선 효과도 얻을 수 있다[2]. 본 연구에서는 특히 트렌치 구조의 각종 파라미터를 변경하면서 춰적의 항복 전압을 추출하였으며 이때의 특성을 시물레이션을 통해 분석하였다.
- 시물레이션시 사용한 파라미터는 주로 항복 전압에 영향을 주는 요소인 트렌치 depth, 트렌치 width, 게이트 width, Epi 두께였으며 위와 같은 size 을 가지고 시물레이션을 진행하여 최적 조건을 추출하였다.
- 위의 최적 결과를 가지고 MOSFET의 특성을 다시 살펴보았다.
- 트렌치 게이트를 가지는 Lateral DMOSFET를 제안하여 이에 대한 소자 파라미터를 최적화 하였으며 각종 특성을 시물레이션하여 추출하였다. 트렌치 depth 40㎛, 트렌치 width 30㎛, 게이트폴리실리콘 width 3/zm, epi두께 60㎛에서 최적의 특성을 추출하였으며 이때 기존의 LDMOSFET 보다 작은 수직 크기 하에서도 600V 이상의 항복 전압을 얻을 수 있었고 양호한 on state 및 turn off 과도 특성을 얻을 수 있었다.
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