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Si(100)기판위에 성장된 3C-SiC 박막의 반응성 이온식각 특성
Reactive Ion Etching Characteristics of 3C-SiC Grown on Si Wafers 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.17 no.7, 2004년, pp.724 - 728  

정귀상 (동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스공학전공) ,  정수용 (동서대학교 정보시스템공학부 메카트로닉스공학전)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper describes on RIE(Reactive Ion Etching) characteristics of 3C-SiC(Silicon Carbide) grown on Si(100) wafers. In this work, CHF$_3$ gas was used to form the polymer as a function of a side-wall for excellent anisotropy etching during the RIE process. The ranges of the etch rate we...

주제어

#RIE   #3C-SiC   #CHF $_3$   #O2   #Etching-rate   #Flatness  

참고문헌 (5)

  1. Sarro, Pasqualina M. Silicon carbide as a new MEMS technology. Sensors and actuators. A, Physical, vol.82, no.1, 210-218.

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  2. Yang, Y. T., Ekinci, K. L., Huang, X. M. H., Schiavone, L. M., Roukes, M. L., Zorman, C. A., Mehregany, M.. Monocrystalline silicon carbide nanoelectromechanical systems. Applied physics letters, vol.78, no.2, 162-164.

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  3. 10.4028/www.scientific.net/MSF.338-342.1057 

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  4. McLane, G. F., Flemish, J. R.. High etch rates of SiC in magnetron enhanced SF6 plasmas. Applied physics letters, vol.68, no.26, 3755-3757.

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  5. 10.1149/1.2050105 

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