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NTIS 바로가기전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문, v.53 no.10, 2004년, pp.495 - 499
김창교 (순천향대학교 정보기술공학부) , 양성준 (충남전략산업기획단 기획ㆍ평가실) , 조남인 (선문대학교 전자공학과) , 유홍진 (순천향대학교 신소재화학공학부)
Characteristics of ohmic Ni/Si/Ni contacts to n-type 4H-SiC are investigated systematically. The ohmic contacts were formed by annealing Ni/Si/Ni sputtered sequentially The annealings were performed at 950℃ using RTP in vacuum ambient and N₂ ambient, respectively. The specific contact resistivity(p/...
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