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단채널 GaAs MESFET 및 SOI 구조의 Si JFET의 2차원 전계효과에 대한 해석적 모델에 대한 연구
An analytical modeling for the two-dimensional field effect of a short channel GaAs MESFET and SOI-structured Si JFET 원문보기

電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.42 no.1 = no.331, 2005년, pp.25 - 32  

최진욱 (홍익대학교 전자전기공학부) ,  지순구 (홍익대학교 전자전기공학부) ,  최수홍 (홍익대학교 전자전기공학부) ,  서정하 (홍익대학교 전자전기공학부)

초록
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본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET과 SOI-구조의 Si JFET가 갖는 전형적인 특성: i) 드레인 전압 인가에 의한 문턱전압 roll-off, ii) 포화영역에서의 유한한 ac 출력저항, iii) 채널길이에 대한 드레인 포화전류의 의존성 약화, 등을 통합적으로 기술할 수 있는 해석적 모델을 제안하였다. 채널 방향의 전계 변화를 포함하는 새로운 형태의 가정을 기존의 GCA와 대체하고, 채널의 전류 연속성과 전계-의존 이동도를 고려하여, 공핍영역과 전도 채널에서 2차원 전위분포 식을 도출해 내었다. 이 결과, 문턱전압, 드레인 전류의 표현 식들이 동작전압전 구간의 영역에 걸쳐 비교적 정확하게 도출되었다. 또한 본 모델은 기존의 채널 shortening 모델에 비해 Early 효과에 대한 보다 더 적절한 설명을 제공하고 있음을 보이고 있다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, it is attempted to provide a unified explanation for typical short channel GaAs MESFET’s and SOI-structured Si JFET's behaviors such as: i) drain voltage-induced threshold voltage roll-off, ii) finite output ac resistance beyond the saturation, and iii) weak dependence of the drain sa...

주제어

#short channel GaAs MESFET  

참고문헌 (16)

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