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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.43 no.3 = no.345, 2006년, pp.21 - 32
최훈대 (국민대학교 전자정보통신공학부) , 민경식 (국민대학교 전자정보통신공학부)
A new SRAM circuit with row-by-row activation and low-swing write schemes is proposed to reduce switching power of active cells as well as leakage one of sleep cells in this paper. By driving source line of sleep cells by
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S. Borkar, 'Design challenges of technology scaling,' IEEE Micro, vol.19, no. 4, pp, 23-29, July 1999
K. Min, K. Kanda, and T. Sakurai, 'Row-by-Row switching Source-Line Voltage Control (RRDSV) Scheme for Two orders of Magnitude Leakage Current Reduction of Sub-1-V- $V_{DD}$ SRAM's,' International Symposium on Low Power Electronics and Design, pp.66-71, Seoul in Korea, August 2003
K. Kanda, T. Miyazaki, K. Min, H. Kawaguchi, and T. Sakurai, 'Two Orders of Magnitude Reduction of Low Voltage SRAM's by Row-by-Row Dynamic VDD Control (RDDV) Scheme,' Proceedings of IEEE International ASIC/SOC Conference, pp.381-385, Rochester in USA, September 2002
K. Agarwal, H. Li, and K. Roy, 'A bit line leakage compensation scheme for low-voltage SRAM's,' IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol.36, no.5, pp.726-734, May 2001
Berkeley predictive technology model web site: http://www-device.eecs.berkeley.edu/-ptm
H. Choi, H. Choi, K. Kang, D. Kwak, D. Kim, D. Kim, and K. Min, 'Leakage and Switching Power Saving Scheme For Low-Power SRAMs in sub-70nm Leakage-Dominant VLSI Era,' 제12회 한국반도체학술대회 논문집, vol.1, pp.497-498, Feb. 24-25, 2005
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