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NTIS 바로가기반도체및디스플레이장비학회지 = Journal of the semiconductor & display equipment technology, v.6 no.3, 2007년, pp.19 - 23
윤상원 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 이우영 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 양충모 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 하종봉 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 나경일 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 조현익 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 남기홍 (경일대학교 전자정보통신공학부) , 서화일 (한국기술교육대학교 전자공학과) , 이정희 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부)
The NiSi is very promising candidate for the metallization in 45 nm CMOS process such as FUSI(fully silicided) gate and source/drain contact because it exhibits non-size dependent resistance, low silicon consumption and mid-gap workfunction. Ni film was first deposited by using ALD (atomic layer dep...
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