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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.20 no.6, 2007년, pp.487 - 490
이세광 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 이원재 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 장잉잉 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 종준 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 정순연 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 이가원 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 왕진석 (충남대학교 공과대학 전자공학과) , 이희덕 (충남대학교 공과대학 전자공학과)
In this paper, the formation and thermal stability characteristics of Ni silicide using Ni-V alloy on Boron cluster (주제어
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C. Y. Lu and J. M. Sung, 'Reverse shortchannel effects on threshold voltage in submicrometer salicide devices', Electron Device Lett., IEEE, Vol. 10, p. 446, 1989
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W. J. Lee, S. Y. Oh, Y. J. Kim, Y. Y. Zhang, Z. Zhong, S. Y. jung, H. H. Ji, K. J. Hwang, Y. C. Kim, H. T. Cho, W. A. Knull, J. S. Wang, and H. D. Lee, 'Formation and Thermal Stability Characteristics of Ni Silicide on Boron Cluster (B18H22) Implanted Source/ Drain', International Workshop on Junction Technology 2006, p. 184, 2006
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