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NTIS 바로가기전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.56 no.9, 2007년, pp.1614 - 1618
이동인 (삼선전자 메모리 사업부) , 이성영 (성균관대 전기전자컴퓨터공학과) , 노용한 (삼선전자 메모리 사업부)
We have demonstrated the experimental results to obtain the immunity of FN (Fowler Nordheim) stress for S-RCAT (Spherical-Recess Cell Array Transistor) which has been employed to meet the requirements of data retention time and propagation delay time for sub-100-nm mobile DRAM (Dynamic Random Access...
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N.-J. Son, et aI, 'A Unique Dual-Poly Gate Technology for 1.2-V Mobile DRAM with Simple In situ n+-Doped Polysilicon', IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, pp.1644-1651, Oct. 2004
S. G. Park, et aI., 'The New Technology for DRAM Cell Transistor with S-RCAT and its Size Effect', SSDM, pp. 624-625, 2005
T. Brozek, et aI., 'Generation of hole trap in thin silicon oxide layers under high-field electron injection', Applied Physics Letters, vol. 68, March, pp. 1826-1828, 1996
S.Wolf, et aI., 'Silicon Processing for VLSI era', vol.3, Thin gate oxides, p.423, 1990
S.Wolf, et aI., 'Silicon Processing for VLSI era', vol.4, Wet RYO Process, p.111, 1990
Dieter K Schroder, 'Semiconductor Material and Device Characterization' Oxide and Interface charges, p.319, 2006
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