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[국내논문] S-RCAT (Spherical Recess Cell Allay Transistor) 구조에 따른 FN Stress 특성 열화에 관한 연구
The Research of FN Stress Property Degradation According to S-RCAT Structure 원문보기

전기학회논문지 = The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers, v.56 no.9, 2007년, pp.1614 - 1618  

이동인 (삼선전자 메모리 사업부) ,  이성영 (성균관대 전기전자컴퓨터공학과) ,  노용한 (삼선전자 메모리 사업부)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have demonstrated the experimental results to obtain the immunity of FN (Fowler Nordheim) stress for S-RCAT (Spherical-Recess Cell Array Transistor) which has been employed to meet the requirements of data retention time and propagation delay time for sub-100-nm mobile DRAM (Dynamic Random Access...

주제어

#DRAM   #S-RCAT   #FN STRESS   #Degradation   #Dual Poly Gate   #Oxidation  

AI 본문요약
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문제 정의

  • A 의 경우 소자 사용시간의 누적에 따라 CVT 증가로 인한 소자의 동작속도 열화가 예상되며, DEVICE_B의 경우 소자 사용시간의 누적에 따라 CVT 감소로 인한 다이나믹(dynamic retention time 열화) 불량의 증가가 예상 된다. 이러한 S-RCAT 의 특성 변화를 최소화하기 위하여 열화 유발 원인 규명을 위한 측정과 개선을 위한 실험을 진행 하였다.
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참고문헌 (6)

  1. N.-J. Son, et aI, 'A Unique Dual-Poly Gate Technology for 1.2-V Mobile DRAM with Simple In situ n+-Doped Polysilicon', IEEE Trans. Electron Devices, vol. 51, pp.1644-1651, Oct. 2004 

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  2. S. G. Park, et aI., 'The New Technology for DRAM Cell Transistor with S-RCAT and its Size Effect', SSDM, pp. 624-625, 2005 

  3. T. Brozek, et aI., 'Generation of hole trap in thin silicon oxide layers under high-field electron injection', Applied Physics Letters, vol. 68, March, pp. 1826-1828, 1996 

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  4. S.Wolf, et aI., 'Silicon Processing for VLSI era', vol.3, Thin gate oxides, p.423, 1990 

  5. S.Wolf, et aI., 'Silicon Processing for VLSI era', vol.4, Wet RYO Process, p.111, 1990 

  6. Dieter K Schroder, 'Semiconductor Material and Device Characterization' Oxide and Interface charges, p.319, 2006 

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