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[국내논문] PLVA 방법을 활용한 PR Stripper의 성능 향상과 HDI-PR 표면의 내력 변화 연구
Improvement of PR Stripper Efficient and Change of Surface Hardness for HDI-PR Used by PLVA Method 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.17 no.6, 2008년, pp.544 - 548  

김수인 (국민대학교 나노전자물리학과) ,  이창우 (국민대학교 나노전자물리학과)

초록
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반도체 공정에서 가장 많은 시간과 비용을 차지하는 공정 중 하나는 Photoresist strip 공정이다. 따라서 보다 빠르게 PR의 strip 공정을 단축하기 위한 연구가 계속 진행중에 있다. 하지만 기존 사용중인 strip용액을 대체하기 위한 물질을 찾는 것은 많은 비용을 수반한다. 본 연구에서는 PR의 strip 시간을 최대한 단축시키고 PR strip 잔여물의 빠른 제거를 위하여 기존 공정에서 사용 중인 strip 약액을 플라즈마에 의하여 활성화하는 방법(Plasma Liquid-Vapor Activation: PLVA)으로 PR strip 시간을 최대한 줄이는 방법에 대한 연구를 진행하였으며, 활성화된 strip용액이 더욱 빠른 strip율 성능을 나타내는 것을 확인하였다. 또한 PR strip에서 이온에 의한 영향을 받은 HDI-PR (high dose implanted photoresist)은 기존 strip용액으로 제거가 불가능하였다. 하지만 본 연구에서 제시한 PLVA 방법으로 활성화된 용액에서는 그 가능성을 확인하였고, 이러한 PLVA방법에 대한 물리적 연구를 위하여 HDI-PR 표면 내력의 변화를 측정하였다. 그 결과 PLVA 처리 전 후 HDI-PR의 표면 내력에 큰 변화를 확인하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

At the semiconductor industry, Photoresist(PR) strip progress has high cost and time consuming process. Accordingly, many research group have been focused on the shortening of the PR strip progress. But the replacements of newly developed materials rather than normally used strip have accompanied by...

Keyword

#HDI-PR strip 가속화   #약액 활성화  

AI 본문요약
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문제 정의

  • 최근 본 연구 팀에서는 기존에 사용되는 PR strip 용액을 액체 상태에서 플라즈마를 이용하여 활성화 시키는 방법에 대하여 제시하였다. 이러한 약액 활성화 방법은 기존의 건식세정법과 습식세정법을 혼합한 방법으로 기존의 PR strip 용액의 strip 속도를 배가 시켜 기존 반도체 공정에서 패턴 공정으로 인한 시간 지연을 줄일 수 있는 방법이다[4-5].
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
약액 활성화 방법이란? 최근 본 연구 팀에서는 기존에 사용되는 PR strip 용액을 액체 상태에서 플라즈마를 이용하여 활성화 시키는 방법에 대하여 제시하였다. 이러한 약액 활성화 방법은 기존의 건식세정법과 습식세정법을 혼합한 방법으로 기존의 PR strip 용액의 strip 속도를 배가 시켜 기존 반도체 공정에서 패턴 공정으로 인한 시간 지연을 줄일 수 있는 방법이다[4-5]. 또한 이 논문에서는 PLVA 방법의 분석을 위하여 기존 PR 세정 연구에서 화학적 분석법을 이용한 연구에서 새로이 물리적 접근 방법을 이용하여 분석을 실시하였다.
다층화된 소자를 생산하기 위한 패턴 공정은 주로 어떤 방식을 사용하는가? 특히, 다층화된 소자를 생산하기 위하여 반도체 공정에서는 여러 단계의 패턴 공정을 가지게 되다. 이러한 패턴 공정은 주로 Photoresisit(PR)을 사용하여 이를 현상하는 방식을 사용한다. 하지만 이러한 PR패턴 공정이 반복되면서 패턴 공정시간 지연이 발생하고 이는 곧 반도체 소자 생산을 위한 비용증가를 수반하게 된다.
Photoresisit 공정의 단점은? 이러한 패턴 공정은 주로 Photoresisit(PR)을 사용하여 이를 현상하는 방식을 사용한다. 하지만 이러한 PR패턴 공정이 반복되면서 패턴 공정시간 지연이 발생하고 이는 곧 반도체 소자 생산을 위한 비용증가를 수반하게 된다. 또한 각 PR공정 후 PR strip을 위하여 사용하게 되는 strip용액의 증가는 필수적으로 비용 증가와 더불어 환경오염을 수반하게 된다. PR공정에서 또 다른 문제는 PR공정 중 이온에 의한 영향으로 인한 HDI-PR 역시 반도체 소자 직접도 향상을 위한 큰 문제가 된다[3].
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참고문헌 (6)

  1. C.C. Cheng and Oncay j "A down stream plasma process for post-etch residue cleaning." Semiconductor International pp.185-188 (1995) 

  2. P. M. Visintin, M. B. Korzenski, and T. H. Baum, J. Electrochem. Soc., 153, G591 (2006) 

    상세보기 crossref

  3. T. Ohmi, T. Imaoka, I. Sugiyama, and T. Kezuka, J. Electrochem. Soc. 139(11), 3317 (1992) 

    상세보기 crossref

  4. S. I. Kim, and C. W. Lee, J. Korean Phys. Soc. (in press) 

  5. 김수인, 이창우, 한국진공학회지 제 17권 2호, 113 (2007) 

    원문보기 상세보기 crossref

  6. Bharat Bhushan, Micro/Nano Tribology(1st ed), pp.341-358 

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