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電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.48 no.8 = no.410, 2011년, pp.1 - 4
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This study was the coorrelation between the electrical properties and the dielectric constant of organic inorganic hybrid type low k SiOC film. SiOC film as low-k films was deposited by the chemical vapor deposition and then annealed at 30
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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| SiOC 박막의 특징은? | SiO2 산화막 대신에 연구되고 있는 박막은 SiOC 박막이며, 스핀 온 코팅 (Spin on coating) 방법 혹은 CVD (chemical vapor deposition) 방법에 의하여 증착할 수 있다[1～6]. SiOC 박막은 박막 내에 탄소의 함량에 따라 물리적 화학적인 특성이 다르게 나타나며, 박막 내에 탄소에 의한 비결정구조의 특성이 가장 우수한 경우에 유전상수가 낮게 나타나는 것으로 알려져 있다. SiOC 박막이 유전상수가 낮아지는 원인에는 박막내의 기공의 형성 혹은 분극의 감소에 의한 것으로 알려져 있으나 기공의 형성에 의한 저유전 박막인 경우 물리적인 특성에 심각한 결함이 발생되기 때문에 분극의 감소에 의한 저 유전박막의 형성에 대하여 많은 연구가 이루어지고 있는 실정이다[7～10]. | |
| 절연산화막 사용에 있어 한계를 갖고있는 SiO2 산화막 대신에 연구되고 있는 박막은? | 반도체 소자의 소형화에 따른 문제가 대두되면서 기존의 사용되어온 SiO2 절연산화막 사용에 있어 한계 극복하기 위한 노력의 일환으로 새로운 반도체 절연물질에 대한 연구가 이루어지고 있다. SiO2 산화막 대신에 연구되고 있는 박막은 SiOC 박막이며, 스핀 온 코팅 (Spin on coating) 방법 혹은 CVD (chemical vapor deposition) 방법에 의하여 증착할 수 있다[1～6]. SiOC 박막은 박막 내에 탄소의 함량에 따라 물리적 화학적인 특성이 다르게 나타나며, 박막 내에 탄소에 의한 비결정구조의 특성이 가장 우수한 경우에 유전상수가 낮게 나타나는 것으로 알려져 있다. | |
| 무엇을 통해 SiOC 박막의 열처리 후 분극의 감소를 확인할 수 있었는가? | SiOC 박막은 증착공정 후 열처리를 통하여 분극이 감소하고 전기적인 특성은 더욱 우수해진다는 것을 알 수 있었다. 열처리후 분극의 감소는 XRD패턴에 의하여 주픽이 이동하는 것으로도 확인할 수 있었다. SiOC 박막이 절연박막으로서의 기능이 우수해지려면 400도에서 열처리공정을 수행하는 것이 바람직하다는 것을 확인하였다. |
M. J. Kellicutt, I. S. Suzuki, C. R. Burr, M. Suzuki, M. Ohashi and M. S. Whittingham, "Variable-range-hopping conduction and the Pool-Frankel effect in a copper polyaniline vermiculite intercalation compound," Physical Review B. vol. 47, No. 20, pp.13664-13673, 1993, May.
P. W. May, S. Hohn, W. N, Wang and N. A. Fox, "Field emission conduction mechanisms in chemical vapor deposited diamond and diamondlike carbon films," Appl. Phys. Lett. vol.27, pp. 2182-2184, 1998.
D. J. Gundlach, Y. Y. Lin, T. N. Jackson, S. F. Nelson and D. G. Schlom, "Pentacene Organic Thin-Film Transistors-Molecular Ordering and Mobility," IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 18, (1997) 87-89.
T. Oh, "Organic Thin Film Transistors Using Pentacene and SiOC film," IEEE transactions on Nanotechnology, 5(2006) 23-29.
Giulia Galli and Richard M. Martin, "Structural and electronic properties of amorphous carbon," Phys. Rev. Lett. 62(5), pp. 555-558, 1989.
A. Grill and D. A. Neumayer, "Structure of low dielectric constant to extreme low dielectric constant SIOCH films: Fourier transform infrared spectroscopy characterization," J. Appl. Phys. Vol. 94, pp. 6697-6707, 2003.
P. Masri, "Silicon carbide and silicon carbide-based structures: The physics of epitaxy," Surface science reports, vol. 48, pp.1-51, 2002.
Jin Yong Kim, Moo Sung Hwang, Yoon-Hae Kim, and Hyeong Joon Kim, Young Lee, "Origin of low dielectric constant of carbon-incorporated silicon oxide film deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition," J. Appl. Phys. Vol. 90, pp. 2469-2473, 2001.
J. Frenkel, "On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semiconductors," Phys. Rev. 54, pp. 647-648, 1938.
J. R. Kalnin and E. Kotomin, "Modified Maxwell-Garnett equation for the effective transport coefficients in inhomogeneous media," J. Phys. A:Math. Gen. Vol. 31, pp.7227-7234, 1998.
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