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NTIS 바로가기조선자연과학논문집 = Journal of the chosun natural science, v.2 no.1, 2009년, pp.37 - 40
송진우 (켐프로스 연구개발팀)
Synthesis and characterization of alkyl-capped nanocrystalline silicon (R-n-Si) have been achieved from the reaction of silicontetrachloride with magnesiumsilicide. Surface of silicon nanocrystal has been derivatized with various alkyl groups (R=methyl, n-butyl, etc.). Silicon nanoparticles have bee...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Metal sulfide 나노입자의 합성 방법에는 무엇이 있는가? | Metal sulfide 나노입자들은 고분자 안정제(polymer stabilizer)를 포함하는 유사한 방법으로 합성 되었고, 최근에는 유기금속 화합물을 이용하여 합성하는 방법도 보고된바 있다. 다른 방법으로는 기체상태[13] 또는 고출력 레이저 펄스(high power laser pulse)를 이용하여 ablation에 의하여 합성할 수 있으며,[14] 부식(etching), 전기적 침전[15] 등의 방법으로 합성할 수 있다. 그러나 후자의 레이저 증착법(laser vaporization) 같은 방법은 나노 크리스탈을 대량으로 생성하는데 문제점이 있다. | |
본 연구에서 니트로 방향족 화합물을 어떠한 방법으로 탐지하였는가? | 다공성 실리콘을 이용한 나노입자와 졸-겔방법으로 합성된 Bu-Capped 실리콘 나노입자를 이용하여 니트로 방향족 화합물 (TNT, DNT, PA, NB)의 탐지를 하였다. 탐지방법은 니트로방향족 화합물 (분자 내 NO2 그룹 존재)이 전자 부족 화합물이기 때문에 상대적으로 전자가 부유한 실리콘 나노입자들과의 반응 하였을 경우 전자 부족 화합물인 니트로방향족 화합물로 실리콘 나노입자의 전자가 이동함에 따라 발광세기의 감소로 탐지가 가능하는 것을 알 수가 있었다. | |
다공성 실리콘에 높은 전류를 흘려주면 어떻게 되는가? | 다공성 실리콘은 실리콘웨이퍼를 불산 용액 하에서 정 전류를 흘려주면서 실리콘을 부식시키는 것인데 실리콘웨이퍼의 용해속도는 흘려준 전류의 양에 비례한다. 높은 전류상태에서는 electropolishing이 일어난다. 그러나 낮은 전류 하에서는 부식반응이 웨이퍼에서 기공(pore)을 형성하기 시작한다. |
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