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NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.13 no.1, 2009년, pp.87 - 93
원종일 (서경대학교 전자공학과) , 구용서 (서경대학교 전자공학과)
The paper introduces a silicon controlled rectifier (SCR)-based device with high holding voltage for ESD power clamp. The holding voltage can be increased by extending a p+ cathode to the first n-well and adding second n-well wrapping around n+ cathode. The increase of the holding voltage above the ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체 산업에서 ESD는 어떤 측면에서 중요한 문제로 고려되어 왔는가? | 반도체 산업에서 ESD(ElectroStatic Discharge)는 제품의 품질과 신뢰성 측면에서 중요한 문제로 고려되어 왔다.[1] 특히, 공정 기술이 발달함에 따라 사용되는 게이트 산화막의 두께가 감소하면서 정전기 방전에 의한 소자파괴현상과 수 kV, 수 A로 매우 높은 전압/전류의 ESD 펄스에 의해 칩 내부 회로선로의 열화에 의한 파괴현상은 더욱 심화되어 ESD로부터의 내부 회로의 보호는 집적회로 설계의 중요한 해결과 제로 인식 되고 있다. | |
회로의 높은 온도 상태에서 홀딩전압의 분석이 중요한 이유는? | 또한 회로의 정상동작 상태에서의 온도 증가는 ESD 보호소자의 전기적 특성에 영향을 미친다. 온도의 증가는 ESD 보호능력, 홀딩 전압, ESD보호소자의 기생 바이폴라 트랜지스터 동작에 영향을 미치고, 전류 불안정으로 인한 전류 필라멘트를 초래하기 때문에 온도의 증가는 소자 파괴의 원인이 된다.[9-10] 따라서, 높은 온도 상태에서 홀딩전압의 분석은 중요하다. | |
ESD로부터의 내부 회로의 보호가 집적회로 설계의 중요한 해결과제로 인식되고 있는 이유는? | 반도체 산업에서 ESD(ElectroStatic Discharge)는 제품의 품질과 신뢰성 측면에서 중요한 문제로 고려되어 왔다.[1] 특히, 공정 기술이 발달함에 따라 사용되는 게이트 산화막의 두께가 감소하면서 정전기 방전에 의한 소자파괴현상과 수 kV, 수 A로 매우 높은 전압/전류의 ESD 펄스에 의해 칩 내부 회로선로의 열화에 의한 파괴현상은 더욱 심화되어 ESD로부터의 내부 회로의 보호는 집적회로 설계의 중요한 해결과 제로 인식 되고 있다. 지금까지 ESD 보호소자로 사용된 GGNMOS(Gate Grounded NMOSFET)는 낮은 전류 구동능력 때문에 상당히 큰 면적으로 설계 되어진다. |
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