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새로운 구조의 Zener Triggered SCR ESD 보호회로에 대한 연구
A Study on the novel Zener Triggered SCR ESD Protection Circuit 원문보기

대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회, 2006 June 21, 2006년, pp.587 - 588  

이조운 (서경대학교 전자공학과) ,  이재현 (서경대학교 전자공학과) ,  손정만 (서경대학교 전자공학과) ,  박미정 (서경대학교 전자공학과) ,  구용서 (서경대학교 전자공학과)

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

This paper presents the new structural zener triggered silicon-controlled rectifier (ZTSCR) electrostatic discharge (ESD) protection circuit. The proposed ESD protection circuit has lower triggering voltage than conventional circuits. The proposed ZTSCR has the triggering voltage of 4V. In the ESD e...

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문제 정의

  • Very Deep Sub-Micron(VDSM) 기술을 기반으로 고속 동작하는 반도체 칩에서 ESD 현상은 내부회로소자의 파괴 및 칩의 동작과 수율(yield)에 매우 큰 Damage를 주는 요인이 되고 있다.[1] 따라서 본 연구에서는 ESD 보호회로를 구현하기 위한 방법으로 작은 소자 폭으로 높은 전류 구동능력을 갖는 silicon controlled rectifiers (SCRs)구조를 채택하였으며[2], Zener 접합의 breakdown으로 보호소자의 Triggering을 유도할 수 있는 새로운 구조의 ZTSCR을 고안하였다. 또한 RC network를 연결하여 소자의 보다 낮은 트리거 전압을 유도하고, 빠른 응답속도를 갖도록 설계하였다.
  • 마지막으로 고안한 소자의 시뮬레이션을 통하여 전기적 특성 및 최적화된 공정 spec.을 추출하고자 한다.
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