• 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보


The local oxidation using an atomic force microscopy (AFM) is useful for Si-based fabrication of nanoscale structures and devices. SiC is a wide band-gap material that has advantages such as high-power, high-temperature and high-frequency in applications, and among several SiC polytypes, 4H-SiC is the most attractive polytype due to the high electron mobility. However, the AFM local oxidation of 4H-SiC for fabrication is still difficult, mainly due to the physical hardness and chemical inactivity of SiC. In this paper, we investigated the local oxidation of 4H-SiC surface using an AFM. We fabricated oxide patterns using a contact mode AFM with a Pt/Ir-coated Si tip (N-type, 0.01-0.025 ${\Omega}cm$) at room temperature, and the relative humidity ranged from 40 to 50 %. The height of the fabricated oxide pattern (1-3 nm) on SiC is similar to that of typically obtained on Si ($10^{15}^{\sim}10^{17}$ $cm^{-3}$). We perform the 2-D simulation to further analyze the electric field between the tip and the surface. We demonstrated that a specific electric field (4 ${\times}$ $10^7\;V/m$) and a doping concentration ($^{\sim}10^{17}$ $cm^{-3}$) is sufficient to switch on/off the growth of the local oxide on SiC.

참고문헌 (7)

  1. J. S. Hwang, Z. S. Hu, Z. Y. You, T. Y. Lin, Chin L. Hsiao, and L. W. Tu, 'Local oxidation of InN and GaN using an atomic force microscope', Nanotechnology, Vol. 17, p. 859, 2006 
  2. J. S. Hwang, Z. Y. You, S. Y. Lin, Z. S. Hu, C. T. Wu, C. W. Chen, and K. H. Chen, 'Effect of gold coating on local oxidation using an atomic force microscope', Appl. Phys. Lett., Vol. 86, p. 161901, 2005 
  3. J. S. Hwang, Z. S. Hu, T. Y. Lu, L. W. Chen, S. W. Chen, T. Y. Lin, C.-L. Hsiao, K.-H. Chen, and L.-C. Chen, 'Photo-assisted local oxidation of GaN using an atomic force microscope', Nanotechnology, Vol. 17, p. 3299, 2006 
  4. X. N. Xie, H. J. Chung, C. H. Sow, and A. T. S. Wee, 'Native oxide decomposition and local oxidation of 6H-SiC (0001) surface by atomic force microscopy', Appl. Phys. Lett., Vol. 84, p. 4914, 2004 
  5. Howell, R. S., Buchoff, S., Van Campen, S. McNutt, T. R. Ezis, A., Nechay, B., Kirby, C. F., Sherwin, M. E., Clarke, R. C., and Singh, R., 'A 10-kV large-area 4H-SiC power DMOSFET with stable subthreshold behavior independent of temperature', IEEE Trans. Electron Devices, Vol. 55, No. 8, p. 1807, 2008 
  6. E. Dubois, P. A. Fontaine, and D. Stievenard, 'Characterization of scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy- based techniques for nanolithography on hydrogen-passivated silicon', J. App. Phys., Vol. 84, No. 4, p. 1776, 1998 
  7. P. Mazur, M. Grodzicki, S. Zuber, and A. Ciszewski, 'Current patterning of 6H–SiC(0 0 0 1) surface by AFM', Appl. Surface Science, Vol. 254, p. 4332, 2008 

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음


원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일