[논문]패키지 기판 디스미어 공정의 대기압 플라즈마 처리 특성

유선중

doi:10.5757/jkvs.2009.18.5.337

문제 정의

그러나 진공 플라즈마 공정의 장비 형태는 진공 용기(vacuum chamber)를 사용하는 배치 처리(batch process)방식이므로 대부분 공정이 인라인 처리(inline process) 방식의 장비로 구성되어 있는 패키지 제조 공정에는 적합하지 않다. 본 연구에서는 절연 필름의 소수성 성질을 친수성(hydrophilic)으로 개질하기 위하여 리모트 DBD (dielectric barrier discharge) 방식의 대기압 플라즈마 처리를 적용하고자 하였다 [3-8]. 대기압 플라즈마 공정은 상압에서 별도의 진공 용기를 사용하지 않고 인라인 장비로 구성될 수 있으므로 패키지 기판 제조 공정에 적합하다 [9,10].
또한 대기압 플라즈마 처리가 습식 디스미어 공정 특성에 미치는 영향을 평가하기 위하여 패키지 기판의 절연 필름 두께, 드릴 가공 구멍 지름 및 표면 조도의 변화를 측정하였다. 최종적으로 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 드릴 구멍의 스미어 제거 상태를 SEM 사진 촬영으로 확인하여 대기압 플라즈마를 적용함으로써 습식 디스미어 공정의 특성을 향상시킬 수 있음을 실험적으로 검증하고자 하였다.
본 연구에서는 미세 드릴 구멍에 대한 디스미어 약품액의 침투성을 증가시킬 목적으로 절연 필름 표면을 소수성에서 친수성으로 개질시키고자 하였다. 기존에 패키지 기판의 표면 개질에 사용되는 장비로는 O₂, CF₄ 등을 사용하는 CCP(charge coupled plasma) 방식의 진공 플라즈마 장비 또는 UV 장비가 사용되었다.
기존에 패키지 기판의 표면 개질에 사용되는 장비로는 O₂, CF₄ 등을 사용하는 CCP(charge coupled plasma) 방식의 진공 플라즈마 장비 또는 UV 장비가 사용되었다. 본 연구에서는 동일한 목적에 대기압 플라즈마 장비를 적용하고자 한다. 대기압 플라즈마 장비는 진공 플라즈마 장비에 비해 생산성이 우수하며 인라인 구성이 가능하다는 장점이 있고 UV 장비에 비해서는 운용비용(running cost)이 저렴하다는 장점을 가지고 있다.
본 연구에서는 대기압 플라즈마 처리된 패키지 기판 표면의 친수성 정도를 측정하기 위하여 순수(deionized water)를 이용한 접촉각 측정 실험을 수행하였다. 대기압 플라즈마 처리된 패키지 기판의 접촉각은 기판-전극 간격, 전원공급장치 전압, 가스 혼합 비율, 기판 이송 속도에 따라 다른 값을 가지게 된다.
본 연구에서는 패키지 기판용 습식 디스미어 공정의 디스미어 제거 능력을 향상시키기 위해서 대기압 플라즈마 처리를 적용하고자 하였다. 드릴 구멍의 크기가 미세해짐에 따라 습식 디스미어 공정만으로는 스미어가 완전히 제거되지 못하는 문제가 발생하고 있는데 이는 디스미어 약품액이 미세한 드릴 구멍 내부로 침투하지 못하기 때문으로 추정된다.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 패키지 기판에 도포되어 있는 절연 필름의 표면 에너지 수준을 대기압 플라즈마 처리를 통하여 높이고자 하였다. 본 연구에서 사용한 대기압 플라즈마 장비는 리모트 DBD 방식의 전극을 장착하여 패널을 인라인 형태로 수평 이송시키면서 패널 상하면에 설치된 2개의 전극이 플라즈마 처리를 하는 것으로 구성되어 있다.

제안 방법

제작된 대기압 플라즈마 장비의 친수성 개질 효과를 측정하기 위하여 가스 혼합 비율, 처리 속도 및 처리 후 시간 경과에 따른 절연 필름의 접촉각(contact angle) 측정 실험을 수행하였다. 또한 대기압 플라즈마 처리가 습식 디스미어 공정 특성에 미치는 영향을 평가하기 위하여 패키지 기판의 절연 필름 두께, 드릴 가공 구멍 지름 및 표면 조도의 변화를 측정하였다.
제작된 대기압 플라즈마 장비의 친수성 개질 효과를 측정하기 위하여 가스 혼합 비율, 처리 속도 및 처리 후 시간 경과에 따른 절연 필름의 접촉각(contact angle) 측정 실험을 수행하였다. 또한 대기압 플라즈마 처리가 습식 디스미어 공정 특성에 미치는 영향을 평가하기 위하여 패키지 기판의 절연 필름 두께, 드릴 가공 구멍 지름 및 표면 조도의 변화를 측정하였다. 최종적으로 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 드릴 구멍의 스미어 제거 상태를 SEM 사진 촬영으로 확인하여 대기압 플라즈마를 적용함으로써 습식 디스미어 공정의 특성을 향상시킬 수 있음을 실험적으로 검증하고자 하였다.
대기압 플라즈마 장비는 진공 플라즈마 장비에 비해 생산성이 우수하며 인라인 구성이 가능하다는 장점이 있고 UV 장비에 비해서는 운용비용(running cost)이 저렴하다는 장점을 가지고 있다. 대기압 플라즈마 처리를 Fig. 2 공정 흐름도에서 습식 디스미어 공정의 직전 단계에 적용함으로써 기판표면의 친수성을 증대시키고 이후 습식 디스미어 공정에서 약품액이 미세한 드릴 가공 구멍 내부로 효과적으로 침투하도록 하였다.
이러한 아킹 현상은 패키지 기판 표면의 회로 패턴에 손상을 야기할 수 있다. 따라서 본 연구에서는 Fig. 4와 같이 전극 사이에서 형성된 플라즈마를 외부 기체의 흐름을 이용하여 전극 외부로 이동시킨 후 패널에 간접 분사하는 방법을 채택하였다. 이와 같은 방법을 사용함으로써 회로 패턴의 손상을 방지할 수 있다.
한편 전극 내부에서 발생한 플라즈마를 균일하게 대면적 패널 전면에 분사하기 위해서 복수의 전극을 병렬로 배치하여 각각에 별도로 공정 가스가 주입 되도록 설계하였다. 또한 플라즈마가 배출되는 하부의 전극 플레이트에는 등간격의 구멍을 여러 개 뚫어 플라즈마 처리 특성이 전극 전체적으로 균일하게 유지되도록 설계하였다.
한편 전극 내부에서 발생한 플라즈마를 균일하게 대면적 패널 전면에 분사하기 위해서 복수의 전극을 병렬로 배치하여 각각에 별도로 공정 가스가 주입 되도록 설계하였다. 또한 플라즈마가 배출되는 하부의 전극 플레이트에는 등간격의 구멍을 여러 개 뚫어 플라즈마 처리 특성이 전극 전체적으로 균일하게 유지되도록 설계하였다. 이는 진공 플라즈마 장비에서 사용되는 샤워 헤드(shower head) 방식과 유사한 구조이다.
, Ar, Air 등이 있다. 본 연구에서는 공정 비용 등을 고려하여 N₂ 및 Air만을 사용하는 방식을 채택하였다. Ar, CF₄, O₂ 등을 사용함으로써 방전 전압을 낮출 수 있고 또한 공정 효율을 향상시킬 수 있으나 추가적인 가스 비용을 부담해야 하는 문제가 있다.
N₂는 반응 가스로 작용하지는 않지만 플라즈마 방전의 안정성 증대 및 방전 전압을 낮추는 역할을 한다. 본 연구에서는 N₂의 양을 600l/min으로 고정시킨 상태에서 Air의 양을 조절해 가면서 기판 표면의 접촉각 변화를 측정하였다. Air의 양을 4.
본 연구에서는 N₂의 양을 600l/min으로 고정시킨 상태에서 Air의 양을 조절해 가면서 기판 표면의 접촉각 변화를 측정하였다. Air의 양을 4.8l/min에서 0.3l/min 까지 5단계로 구분하여 접촉각을 측정하였다. 각 가스 비율에 따른 접촉각은 1장의 기판에 대하여 기판 상면 및 하면에 각각 5개씩의 총 10개의 위치에 대하여 측정하였다.
3l/min 까지 5단계로 구분하여 접촉각을 측정하였다. 각 가스 비율에 따른 접촉각은 1장의 기판에 대하여 기판 상면 및 하면에 각각 5개씩의 총 10개의 위치에 대하여 측정하였다. 이때 기판의 이송 속도는 20mm/sec로 고정하였다.
먼저 대기압 플라즈마를 처리하지 않은 경우 절연 필름 표면의 접촉각은 평균 71^• 로 측정되었다. 대기압 플라즈마 처리 후 표면 접촉각을 측정하기 위하여 기판이송 속도는 대기압 플라즈마 장비의 생산성을 고려하여 30, 25, 20mm/sec의 3단계로 변경하였다. 각각의 이송 속도에 대한 평균 접촉각은 36^• , 33^• , 32^• 으로 점차 낮아지는 것으로 측정되었다.
대기압 플라즈마 처리된 패키지 기판의 공정 특성을 평가하기 위하여 습식 디스미어 공정 후 Fig. 10와 같은 3가지 항목에 대한 측정을 수행하였다. 측정 방법은 대기압 플라즈마 처리 기판과 미처리 기판의 공정 특성을 비교하는 것으로 하였으며, 대기압 플라즈마 처리 경우에는 기판 이송 속도를 3단계로 나누어 별도 측정 하였다.
10와 같은 3가지 항목에 대한 측정을 수행하였다. 측정 방법은 대기압 플라즈마 처리 기판과 미처리 기판의 공정 특성을 비교하는 것으로 하였으며, 대기압 플라즈마 처리 경우에는 기판 이송 속도를 3단계로 나누어 별도 측정 하였다. 또한 조건별로 3장의 기판에 대하여 각각 25개 위치에 대해 공정 특성을 측정하였다.
측정 방법은 대기압 플라즈마 처리 기판과 미처리 기판의 공정 특성을 비교하는 것으로 하였으며, 대기압 플라즈마 처리 경우에는 기판 이송 속도를 3단계로 나누어 별도 측정 하였다. 또한 조건별로 3장의 기판에 대하여 각각 25개 위치에 대해 공정 특성을 측정하였다. 각 공정 특성에 대해서는 습식 디스미어 처리 전에 값을 측정한 후 습식 디스미어 공정 후에 동일한 값을 측정하여 그 증가량을 기록하는 것으로 하였다.
또한 조건별로 3장의 기판에 대하여 각각 25개 위치에 대해 공정 특성을 측정하였다. 각 공정 특성에 대해서는 습식 디스미어 처리 전에 값을 측정한 후 습식 디스미어 공정 후에 동일한 값을 측정하여 그 증가량을 기록하는 것으로 하였다.
한편, 기판 전면에 대한 절연 필름 두께 감소량의 균일도(uniformity)는 대기압 플라즈마 미처리 경우 164%, 대기압플라즈마 처리 경우 97%로서 대기압 플라즈마 처리의 경우 균일도가 크게 향상되는 것으로 측정되었다. 여기서 균일도는 측정된 75개의 접촉각 중 최대값에서 최소값을 뺀 후 접촉각의 평균으로 나누는 방법을 사용하였다.
최종적으로 대기압 플라즈마를 적용한 경우 습식 디스미어 공정의 스미어 제거 능력을 평가하기 위하여 비관통 드릴 가공 구멍에 대한 SEM 사진 측정을 수행하였다. 이때 사용한 대기압 플라즈마의 조건은 전원공급장치 전압 12kV, 기판-전극 간격 2mm, N₂:Air=600:1.
이와 같은 문제점을 개선하기 위하여 패키지 기판에 도포되어 있는 절연 필름의 표면 에너지 수준을 대기압 플라즈마 처리를 통하여 높이고자 하였다. 본 연구에서 사용한 대기압 플라즈마 장비는 리모트 DBD 방식의 전극을 장착하여 패널을 인라인 형태로 수평 이송시키면서 패널 상하면에 설치된 2개의 전극이 플라즈마 처리를 하는 것으로 구성되어 있다.
대기압 플라즈마의 표면 개질 효과는 플라즈마 조건에 따른 절연 필름의 접촉각을 측정함으로써 실험적으로 평가하였다. 실험 결과 가스 혼합 비율은 N₂:Air=600:1.
습식 디스미어 공정의 직전 단계에 적용된 대기압 플라즈마 처리의 효과를 측정하기 위하여 습식 디스미어 공정 전후의 절연 필름 두께, 구멍 지름 및 표면 조도를 측정하였다. 측정 결과 대기압 플라즈마 처리 유무의 효과는 평균값에서는 유의차가 없었다.

대상 데이터

이는 O₂ 양을 증가시킴으로써 O 라디컬의 양이 증가하여 표면의 친수성 개질 효과가 증대하지만 일정량 이상의 O₂에 대해서는 기판 표면에 비 반응성 O₂ 층을 형성하여 표면 개질 효과를 감소시키기 때문이다. 따라서 본 연구에서는 N₂:Air의 비율을 600:1.2으로 선택하였다.
8은 기판 이송 속도 변화에 따른 접촉각의 변화를 측정한 결과이다. 각 이송 속도에 따라 기판 1장에 대하여 기판 상면 및 하면에 각각 5개씩 총10개의 위치에 대하여 측정하였다. 먼저 대기압 플라즈마를 처리하지 않은 경우 절연 필름 표면의 접촉각은 평균 71^• 로 측정되었다.

이론/모형

이와 같은 구조를 채택함으로써 플라즈마가 아킹(arching)으로 전이되는 것을 방지하고 안정적인 글로우(glow) 방전 상태가 유지되도록 할 수 있다. 본 연구에서 사용한 대기압 플라즈마 전극은 DBD 구조를 채택하면서 동시에 리모트 플라즈마(remote plasma) 방식을 적용하고 있다. 일반적인 DBD 방식 전극을 이용하여 평판디스플레이 등의 대면적 기판을 처리할 때는 패널을 전극 사이에 위치시키고 플라즈마에 직접 노출시키는 방법을 사용한다.

성능/효과

측정 결과 접촉각은 Air의 양이 1.2l/min 수준에서 평균 32• 로 최소가 되었다.
모든 경우에 대하여 대기압 플라즈마 미처리 표면의 접촉각 71• 에 비하여 접촉각이 크게 감소한 것을 확인할 수 있다.
측정 결과 바닥 지름 증가량은 대기압 플라즈마 미처리 경우 6.0μm, 대기압 플라즈마 처리 경우 6.6μm로서 소폭 증가 하였다.
9 실험에서는 대기압 플라즈마 처리 후 20분에서 168시간까지의 경우에 대하여 표면 접촉각의 변화를 측정하였다. 대기압 플라즈마 처리 직후 대비 168시간 경과 후의 접촉각 증가량은 이송 속도 10mm/sec의 경우 26%, 20mm/sec의 경우 16%, 30mm/sec이 경우 3%로 측정되었다. 따라서 처리 속도가 낮을수록 시간 경과에 따른 대기압 플라즈마 처리 효과는 큰 비율로 감소함을 알 수 있다.
따라서 처리 속도가 낮을수록 시간 경과에 따른 대기압 플라즈마 처리 효과는 큰 비율로 감소함을 알 수 있다. 이상과 같은 결과로부터 대기압 플라즈마를 실제 제조 공정에 적용함에 있어 표면 접촉각을 낮추기 위해 기판 이송 속도를 일정한 속도 이하로 낮추는 것은 효과가 미미함을 알 수 있다.
또한 대기압 플라즈마 처리 속도에 대해서도 두께 감소량의 유의차는 측정되지 않았다. 한편, 기판 전면에 대한 절연 필름 두께 감소량의 균일도(uniformity)는 대기압 플라즈마 미처리 경우 164%, 대기압플라즈마 처리 경우 97%로서 대기압 플라즈마 처리의 경우 균일도가 크게 향상되는 것으로 측정되었다. 여기서 균일도는 측정된 75개의 접촉각 중 최대값에서 최소값을 뺀 후 접촉각의 평균으로 나누는 방법을 사용하였다.
6μm로서 소폭 증가 하였다. 한편, 기판 전면에 대한 비관통 구멍 바닥 지름 증가의 균일도는 대기압 플라즈마 미처리 경우 81%, 대기압플라즈마 처리 경우 47%로서 대기압 플라즈마 처리의 경우 균일도가 크게 향상되었다.
39μm로서 차이가 미미하였다. 그러나 표면 조도 증가량의 기판 전면에서의 균일도는 대기압 플라즈마 미처리 102% 대비 처리 경우 29%로 크게 향상된 것으로 측정되었다.
이상의 측정 결과로부터 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 습식 디스미어 공정의 특성에 대하여 다음과 같이 평가할 수 있다. 먼저, 절연 필름 두께 감소, 비관통 구멍 바닥 지름 증가, 절연 필름 표면 조도 증가의 평균값은 대기압 플라즈마 처리 유무에 무관한 것으로 평가된다. 이에 반하여 3가지 측정 항목 모두에 대해 기판 전면의 균일도는 대기압 플라즈마 처리 경우가 크게 향상된 것으로 평가된다.
이 조건에서 대기압 플라즈마를 처리함으로써 접촉각 기준으로 71• 정도의 소수성 표면을 30• 수준의 친수성 표면으로 개질할 수 있었다.
대기압 플라즈마의 표면 개질 효과는 플라즈마 조건에 따른 절연 필름의 접촉각을 측정함으로써 실험적으로 평가하였다. 실험 결과 가스 혼합 비율은 N₂:Air=600:1.2l/min 조건에서 가장 우수한 것으로 평가되었다. 이 조건에서 대기압 플라즈마를 처리함으로써 접촉각 기준으로 71^• 정도의 소수성 표면을 30^• 수준의 친수성 표면으로 개질할 수 있었다.
이 조건에서 대기압 플라즈마를 처리함으로써 접촉각 기준으로 71^• 정도의 소수성 표면을 30^• 수준의 친수성 표면으로 개질할 수 있었다. 또한 대기압 플라즈마 처리 후 시간 경과에 따른 절연 필름의 접촉각 증가 수준은 기판 이송 속도 30mm/sec에서 168시간 경과 후 3% 정도이며, 이송 속도가 느릴수록 접촉각이 큰 비율로 증가하는 것으로 평가되었다.
습식 디스미어 공정의 직전 단계에 적용된 대기압 플라즈마 처리의 효과를 측정하기 위하여 습식 디스미어 공정 전후의 절연 필름 두께, 구멍 지름 및 표면 조도를 측정하였다. 측정 결과 대기압 플라즈마 처리 유무의 효과는 평균값에서는 유의차가 없었다. 그러나 기판 전면에서의 균일도는 대기압 플라즈마를 처리함으로써 큰 폭으로 개선되는 결과를 확인하였다.
측정 결과 대기압 플라즈마 처리 유무의 효과는 평균값에서는 유의차가 없었다. 그러나 기판 전면에서의 균일도는 대기압 플라즈마를 처리함으로써 큰 폭으로 개선되는 결과를 확인하였다. 최종적으로 습식 디스미어 공정 진행 후 촬영한 드릴 구멍의 SEM 사진으로부터 드릴 구멍 바닥의 모서리 부분에 잔존하는 스미어가 대기압 플라즈마 처리를 함으로써 효과적으로 제거되는 경향을 확인 하였다.
그러나 기판 전면에서의 균일도는 대기압 플라즈마를 처리함으로써 큰 폭으로 개선되는 결과를 확인하였다. 최종적으로 습식 디스미어 공정 진행 후 촬영한 드릴 구멍의 SEM 사진으로부터 드릴 구멍 바닥의 모서리 부분에 잔존하는 스미어가 대기압 플라즈마 처리를 함으로써 효과적으로 제거되는 경향을 확인 하였다.

핵심어	질문	논문에서 추출한 답변
	스미어는 무엇을 방해하는가?	이때 녹은 절연 필름의 수지 성분이 드릴 구멍 내벽 및 바닥면에 눌러 붙게 되는데 이를 스미어(smear)라고 한다. 스미어는 후속 공정인 Cu 도금 공정에서 정상적인 Cu 층이 형성되는 것을 방해하며 따라서 패키지 기판제조에서는 드릴 공정 이후 반드시 과망간상 에칭 방법의 습식 디스미어(wet desmear) 공정을 진행함으로서 Cu 도금 전에 스미어가 제거되도록 하고 있다.
	패키지 기판은 어떤 부품인가?	패키지 기판(package substrate)은 반도체칩과 전자제품의 주기판을 전기적으로 연결해주는 부품으로 PCB(printed circuit board)의 한 가지 종류이다. 패키지 기판의 층수는 종류에 따라 2~10층까지 다양하며, 각 층간의 전기적 연결은 기계식 드릴(mechanical drill) 또는 레이저 드릴(laser drill)에 의해 가공된 미세 구멍에 Cu 도금을 함으로써 이루어진다.
	습식 디스미어 공정만으로 스미어가 완전히 제거되지 못하는 현상이 발생하는 원인은 무엇으로 추정되는가?	최근 들어 반도체칩의 집적도 증가에 따라 패키지 기판 드릴 구멍의 지름이 100μm 이하로 미세해지고 있는데, 이러한 경우 습식 디스미어 공정만으로는 스미어가 완전히 제거되지 못하는 현상이 발생한다. 이러한 현상의 원인은 디스미어 약품액이 미세한 드릴 구멍 내부로 침투하지 못하기 때문으로 추정되는데, 실제로 패키지 기판 절연 필름(dielectric film)의 표면 성질은 접촉각 기준 71° 정도로서 소수성(hydrophobic)을 띄는 것으로 측정되었다.

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