C2F6와 NF3 유도결합플라즈마를 사용하여 Al2O3(sapphire)의 반응성 이온식각에 관하여 연구를 하였다. 실험은 ICP 파워(800W~1100W), 바이어스 파워(100W~400W), 공정압력(4mTorr~16mTorr), 마스크물질(Ni,PR)의 변화시키면서 실시하였다. ...
C2F6와 NF3 유도결합플라즈마를 사용하여 Al2O3(sapphire)의 반응성 이온식각에 관하여 연구를 하였다. 실험은 ICP 파워(800W~1100W), 바이어스 파워(100W~400W), 공정압력(4mTorr~16mTorr), 마스크물질(Ni,PR)의 변화시키면서 실시하였다. 식각 후 수직한 메사 측면각도를 갖는 조건에서 C2F6 경우150nm/min의 식각속도를 나타내었고, NF3의 경우는 260nm/min를 갖는 조건을 얻었다. C2F6는 ICP 파워나 바이어스 파워가 증가할수록 표면은 미려하게 거칠어지지만 식각속도는 향상하여 높은 ICP 파워와 높은 바이어스 파워 조건에서 최적의 조건을 얻었고, NF3 가스는 모두 ICP 파워나 바이어스 파워가 높을수록 식각속도는 향상되었지만 마스크 에로젼(erosion)이 발생해 측면각도가 완만해졌기 때문에 약 78도의 측면각도를 갖는 조건에서 최적의 조건을 얻었다. 또한 XPS 결과는 식각 전과 비교하여 식각 후에 시료표면에 약간의 불순물이 발생했음을 확인하였다.
C2F6와 NF3 유도결합플라즈마를 사용하여 Al2O3(sapphire)의 반응성 이온식각에 관하여 연구를 하였다. 실험은 ICP 파워(800W~1100W), 바이어스 파워(100W~400W), 공정압력(4mTorr~16mTorr), 마스크물질(Ni,PR)의 변화시키면서 실시하였다. 식각 후 수직한 메사 측면각도를 갖는 조건에서 C2F6 경우150nm/min의 식각속도를 나타내었고, NF3의 경우는 260nm/min를 갖는 조건을 얻었다. C2F6는 ICP 파워나 바이어스 파워가 증가할수록 표면은 미려하게 거칠어지지만 식각속도는 향상하여 높은 ICP 파워와 높은 바이어스 파워 조건에서 최적의 조건을 얻었고, NF3 가스는 모두 ICP 파워나 바이어스 파워가 높을수록 식각속도는 향상되었지만 마스크 에로젼(erosion)이 발생해 측면각도가 완만해졌기 때문에 약 78도의 측면각도를 갖는 조건에서 최적의 조건을 얻었다. 또한 XPS 결과는 식각 전과 비교하여 식각 후에 시료표면에 약간의 불순물이 발생했음을 확인하였다.
Inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP RIE) of sapphire wafers using C2F6- and NF3-based plasma was investigated as a function of ICP power, bias power, pressure, and plasma chemistry. Etch rate of about 150nm/min in the case of C2F6 plasma and about 260nm/min in the case of NF3 plasma...
Inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP RIE) of sapphire wafers using C2F6- and NF3-based plasma was investigated as a function of ICP power, bias power, pressure, and plasma chemistry. Etch rate of about 150nm/min in the case of C2F6 plasma and about 260nm/min in the case of NF3 plasma was obtained at the optimum condition, with anisotropic profiles and smooth surfaces. No chamber corrosion was observed after the etching, indicating that ICP-RIE using the fluorine-related gases is a promising technique for the sapphire patterning.
Inductively coupled plasma reactive ion etching (ICP RIE) of sapphire wafers using C2F6- and NF3-based plasma was investigated as a function of ICP power, bias power, pressure, and plasma chemistry. Etch rate of about 150nm/min in the case of C2F6 plasma and about 260nm/min in the case of NF3 plasma was obtained at the optimum condition, with anisotropic profiles and smooth surfaces. No chamber corrosion was observed after the etching, indicating that ICP-RIE using the fluorine-related gases is a promising technique for the sapphire patterning.
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