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열가압 접합 공정으로 제조된 Cu-Cu 접합의 계면 접합 특성 평가
Characterization of Interfacial Adhesion of Cu-Cu Bonding Fabricated by Thermo-Compression Bonding Process 원문보기

大韓機械學會論文集. Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers. A. A, v.34 no.7=no.298, 2010년, pp.929 - 933  

김광섭 (한국기계연구원 나노융합.생산시스템 연구본부) ,  이희정 (한국기계연구원 나노융합.생산시스템 연구본부) ,  김희연 (국가나노종합팹센터 넴스바이오팀) ,  김재현 (한국기계연구원 나노융합.생산시스템 연구본부) ,  현승민 (한국기계연구원 나노융합.생산시스템 연구본부) ,  이학주 (한국기계연구원 나노융합.생산시스템 연구본부)

초록
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3 차원 패키징을 위해 열가압 공정으로 제조된 Cu-Cu 접합 계면의 접합 특성을 평가하기 위해 4 점 굽힘 실험을 수행하였다. Cu가 코팅된 Si 웨이퍼 2 장을 $350^{\circ}C$에서 1 시간 동안 15kN 의 하중으로 접합시킨 후, 동일한 온도에서 1 시간동안 어닐닝을 수행하였다. 접합된 웨이퍼를 $30\;mm\;{\times}\;3\;mm$ 크기로 잘라 시험편을 준비하였다. 시험편의 중심에 깊이 $400\;{\mu}m$노치를 가공하였다. 시험기에 광학계를 부착하여 노치에서의 크랙 발생과 계면에서의 크랙 진전을 관찰하였다. 일정한 테스트 속도로 실험을 수행하여, 이에 상응하는 하중을 측정하였다. Cu-Cu 접합 계면 에너지는 $10.36\;J/m^2$ 으로 측정되었으며, 파괴된 계면을 분석하였다. 표면 분석 결과, $SiO_2$와 Ti의 계면에서 파괴가 일어났음을 확인하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Four-point bending tests were performed to investigate the interfacial adhesion of Cu-Cu bonding fabricated by thermo-compression process for three dimensional packaging. A pair of Cu-coated Si wafers was bonded under a pressure of 15 kN at $350^{\circ}C$ for 1 h, followed by post anneali...

주제어

AI 본문요약
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제안 방법

  • 열가압 접합법(thermo-compression bonding)을 사용하여 Cu 박막이 증착된 2 장의 웨이퍼를 접합 시켰다. 350 ℃의 온도에서 1.9 MPa 의 압력으로 1 시간 동안 접합시킨 후, 압력을 제거하고 동일한 온도에서 1 시간 동안 어닐닝(annealing)을 수행하였다. 접합된 웨이퍼는 다이싱(dicing) 머신을 이용하여 시험편 크기인 3 mm x 30 mm 크기로 가공되며, 각 시험편의 중앙에 크랙을 만들기 위해 400 µm 깊이의 노치를 가공하였다.
  • 4점 굽힘 시험법을 이용하여 열접합 공정으로 제조된 Cu-Cu 접합 계면의 접합 특성을 평가하였다. 파괴면의 성분 분석 결과, 접착층으로 사용된 Ti 와 절연층으로 사용된 SiO2 사이의 계면이 가장 취약한 계면으로 확인되었으며, 이 계면의 계면접착에너지는 10.
  • 4점 굽힘 실험 후, 전계방출 주사전자현미경(Field emission scanning electron microscope: FE-SEM) 및 에너지 분산형 분광기(Energy dispersive spectroscopy: EDS)을 이용하여 계면을 분석하였다.
  • Cu 박막과의 접착 특성을 향상시키기 위해 50 nm 두께의 Ti 박막을 스퍼터(sputter) 시스템을 이용하여 SiO2 박막 위에 증착시켰으며, 그 위에 1.5 µm 두께의 Cu 박막을 동일한 장비를 이용하여 증착시켰다.
  • Cu-Cu 접합으로 형성된 Si 웨이퍼의 계면 접합 특성을 평가하기 위해 4 점 굽힘 시험법을 수행하였다. 4 점 굽힘 시험법은 샌드위치 구조의 두 탄성체에 하중을 가해 두 탄성체의 접합 계면에 크랙을 형성 시킨 후, 그 크랙이 계면을 따라 진전할 때 측정된 하중으로부터 접합 에너지를 측정하는 시험법이다.
  • 고정물은 하부 롤러의 위치에 대한 시험편의 위치 및 상부 롤러의 위치를 정렬하는데 사용된다. 고정물을 하부지그에 밀착시킨 후, 시험편과 상부 지그를 차례로 올려놓고, 이들을 고정물에 밀착시킨면 하부지그 및 시험편, 상부 지그의 중심이 일치하도록 고정물을 설계하였다. 정렬 후, 고정물을 하부 지그로부터 조심스럽게 제거한 후, 실험을 수행하게 된다.
  • 3(a)에서 보여지듯이 시험편에 하중을 가하기 위해 단순 인장 압축 시험기를 이용하였다. 또한 실험 중에 크랙의 발생 및 진전을 관찰하기 위해 현미경과 CCD 카메라를 장착하였다. 현미경으로 관찰되는 이미지는 초당 10 프레임의 속도로 연결된 컴퓨터에 저장된다.
  • 005 mm/min 의 일정한 속 도로 시험편을 눌러주고, 이때 시험편에 가해지는 하중을 측정하였다. 측정된 하중의 변화와 계면에서 크랙이 진전하는 현상의 상관관계를 보다 명확히 알기 위해 현미경과 CCD 카메라를 이용하여 계면을 실시간으로 관찰하였다. 계면에서 크랙이 진전할 때 측정된 하중을 바탕으로 식 (1)을 이용하여 계면 접합 에너지(G)를 측정하였다.

대상 데이터

  • 이러한 조건을 감안하여 기판으로서 직경이 100 mm 이고, 두께가 500 µm 인 Si 웨이퍼를 사용하였으며, 그 위에 300 nm 두께의 SiO2 박막을 열적으로 성장시켰다.

이론/모형

  • Cu-Cu 접합에 영향을 미치는 공정 파라 미터에 대한 연구가 활발히 진행되고 있으며,(4~6) 여러 가지 시험법으로 Cu-Cu 접합의 계면 접합 특성이 평가되고 있다.(7,8) 본 연구에서는 기존의 Cu-Cu 접합이 잘 형성되는 온도로 알려진 400~450℃ 접합 온도에 비해 낮은 온도인 350℃ 에서 접합된 Cu-Cu 접합에 대해 4 점 굽힘 시험법(four-point bending test)을 이용하여 접합 특성을 평가하였다.
  • 열가압 접합법(thermo-compression bonding)을 사용하여 Cu 박막이 증착된 2 장의 웨이퍼를 접합 시켰다. 350 ℃의 온도에서 1.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
4점 굽힘 시험법을 이용하여 열접합 공정으로 제조된 Cu-Cu 접합 계면의 접합 특성을 평가한 결과는? 4점 굽힘 시험법을 이용하여 열접합 공정으로 제조된 Cu-Cu 접합 계면의 접합 특성을 평가하였다. 파괴면의 성분 분석 결과, 접착층으로 사용된 Ti 와 절연층으로 사용된 SiO2 사이의 계면이 가장 취약한 계면으로 확인되었으며, 이 계면의 계면접착에너지는 10.36 J/m2 으로 측정되었다. 350 oC의 온도에서 1.9 MPa 의 압력으로 1 시간 동안 본딩 공정을 수행한 후, 동일한 온도에서 1 시간 동안 어닐닝을 수행하여 접합된 Cu-Cu 접합은 Ti/SiO2 계면보다는 높은 접합 강도를 갖었으며, 이는 이러한 접합 조건에서도 Cu-Cu 계면에서 확산(diffusion)이 이루어져 Cu-Cu 접합이 강하게 형성되었기 때문으로 판단된다.
3 차원 집적 회로는 어떤 방법으로 제작되는가? 3 차원 집적 회로를 제작하는 방법으로 여러 장의 소자층(device layer)를 쌓아 올리는 방법(stacking method) 이 이용되고 있다. 쌓아 올리는 방법으로 회로를 제작할 때 고려해야 할 중요한 사항은 각각의 소자층 사이의 상호연결(interconnection)이다.
상호연결은 어떤 부분을 만족시켜야 하는가? 쌓아 올리는 방법으로 회로를 제작할 때 고려해야 할 중요한 사항은 각각의 소자층 사이의 상호연결(interconnection)이다. 상호연결은 전기적 특성 및 신뢰성이 우수해야 한다. 기존에는 상호연결을 위해 솔더(solder)를 사용했지만, 최근에는 솔더를 사용하는 접합 공정에 비해 공정이 단순하고, 전기적 특성 및 신뢰성 측면에서 더 우수한 금속-금속 접합이 제안되었다.
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참고문헌 (10)

  1. Fan, A., Rahman, A. and Reif, R., 1999, “CopperWafer Bonding,” Electrochemical and Solid-StateLetters, Vol. 2, No. 10, pp. 534-536. 

  2. Ruythooren, W., Beltran, A. and Labie, R., 2007,“Cu-Cu Bonding Alternative to Solder Based Micro-Bumping,” 9th Electronics Packaging TechnologyConference, pp. 315-318. 

  3. Swinnen, B., Ruythoore, W., De Moor, P., Bogaerts,L., Carbonell, L., De Munck, K., Eyckens, B.,Stoukatch, S., Sabuncuoglu Tezcan, D., Tokei, Z., Vaes,J., Van Aelst, J. and Beyne, E., 2006, “ 3D Integrationby Cu-Cu Thermo-Compression Bonding of ExtremelyThinned Bulk-Si die Containing 10 um Pitch Through-Si vias,” Electron Devices Meeting, IEDM ’06, IEEEInternational, pp.1-4 

  4. Tadepalli, R. and Thompson, C. V., 2003, “QuantitativeCharacterization and Process Optimization of Low-Temperature Bonded Copper Interconnects for 3-DIntegrated Circuits,” Interconnect Technology Conference,Proceedings of the IEEE 2003 International, pp. 36-38. 

  5. Chen, K. N., Tan, C. S., Fan, A. and Reif, R., 2005,“Copper Bonded Layers Analysis and Effects ofCopper Surface Conditions on Bonding Quality forThree-Dimensional Integration,” Journal of ElectronicMaterials, Vol. 34, No. 12, 1464-1467. 

  6. Tan, C. S., Chen, K. N., Fan, A. and Reif, R., 2005,“The Effect of Forming Gas Anneal on the OxygenContent in Bonded Copper Layer,” Journal ofElectronic Materials, Vol. 34, No. 12, 1598-1602. 

  7. Tadepalli, R., Turner, K. T. and Thompson, C. V.,2008, “Effect of Patterning on the Interface Toughnessof Wafer-Level Cu-Cu Bonds,” Acta Materialia, Vol.56, pp. 438-447. 

  8. Jang, E. J., Park, Y. B., Pfeiffer, S., Kim, B.,Matthias, T., Hyun, S. and Lee, H. J., 2009, “Effect ofPost-Annealing Conditions on Cu-Cu Wafer BondingCharacteristics,” Journal of the Korean PhysicalSociety, Vol. 54, No. 3, pp. 1278-1282. 

  9. Charalambides, P. G., Lund, J., Evans, A. G. andMcMeeking, R. M., 1989, “A Test Specimen forDetermining the Fracture Resistance of BimaterialInterfaces,” Journal of Applied Mechanics, Vol. 56, pp.77-82. 

  10. Scherban, T., Sun, B., Blaine, J., Block, C., Jin, B.and Andideh, E., 2001, “Interfacial Adhesion ofCopper-Low k Interconnects,” InterconnectTechnology Conference, Proceedings of the IEEE 2001International, pp.257-259. 

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