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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea. SD, 반도체, v.47 no.9=no.399, 2010년, pp.24 - 29
This paper presents the RF modeling for silicon nanowire MOSFET with 30 nm channel length and 5 nm channel radius. Equations for analytical parameter extraction are derived by analysis of Y-parameter. Accuracies of the new model and extracted parameters have been verified by 3-dimensional device sim...
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윤형선, 임수, 안정호, 이희덕, "RFIC를 위한 Nano-scale MOSFET의 Effective gate resistance 특성 분석", 대한전자공학회논문지 제 41 권 SD편11 호 pp. 1-6, 2004.
이병진, 박성욱, 엄우용, "SOI FinFET's의 소신호 등가 모델과 변수 추출", 대한전자공학회논문지 제 44 권 IE 편 제 2 호 pp. 1-7, 2007.
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