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TSV 기술을 이용한 3D IC 개발 동향
3D IC Using through Silicon via Technologies 원문보기

전자통신동향분석 = Electronics and telecommunications trends, v.25 no.5 = no.125, 2010년, pp.97 - 105  

최광성 (패키지연구팀) ,  엄용성 (패키지연구팀) ,  임병옥 (패키지연구팀) ,  배현철 (패키지연구팀) ,  문종태 (패키지연구팀)

초록
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모바일과 유비쿼터스 센서 네트워크 센서 시대가 도래함에 따라 가볍고, 작고, 얇고, 멀티기능을 구현할 수 있는 부품에 대한 요구가 증대하고 있다. 이에 대한 여러 가지 솔루션 중 MCM의 개념을 수직 방향으로 확장시킨 3D IC가 최근 각광을 받고 있다. 이는 물리적인 한계에 부딪힌 반도체 집적 공정의 한계를 극복하여 지속적으로 무어의 법칙에 맞춰 집적도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소재와 공정이 달라도 3차원적으로 집적이 가능하여 메모리와 프로세서로 대표되는 디지털 칩뿐만 아니라 아날로그/RF, 수동소자, 전력소자, 센서/액추에이터, 바이오칩 등을 하나로 패키징 할 수 있는 장점이 있기 때문이다. 이를 통해 성능 향상, 경박단소, 저비용의 부품 개발이 가능하기 때문에 미국, 유럽, 일본 등 선도국뿐만 아니라 싱가포르, 타이완, 중국 등에서도 활발한 연구가 진행되고 있으며 CMOS 이미지 센서 모듈 생산에 TSV 기술이 이미 적용되고 있다. 본 고에서는 3D IC를 위한 TSV 및 적층 요소 기술을 소개하고 이를 통해 개발된 사례와 표준화 동향에 대하여 소개하고자 한다.

AI 본문요약
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* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.

문제 정의

  • 3D IC를 위한 TSV 및 적층 요소 기술을 소개하고 이를 통해 개발된 사례와 표준화 동향에 대하여 소개하였다. 배선길이 감소를 통한 전기적 특성 향상, 이종 소자 적층을 통한 다기능 구현, 휴대기기를 위한 경박단소 부품의 구현 등의 장점을 가지고 있는 TSV 기술을 위한 3D IC 적층기술은 디지털 칩, 아날로그/ RF, 수동소자, 전력소자, 센서/액추에이터, 바이오칩을 하나의 패키지 안에 통합할 수 있어 융합 기술의 대표적인 핵심 기술이라고 할 수 있다.
  • 기술을 개발하여야 한다. 본 고에서는 3D IC 구현에 필요한 TSV 및 적층 요소 기술과 관련된 표준화 동향과 개발된 사례에 대하여 소개하고자 한다.
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