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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.10 no.4, 2011년, pp.21 - 23
Uniformity of plasma etching processes critically depends on the wafer temperature and its distribution. The wafer temperature is affected by plasma, chucking force, He back side pressure and the surface temperature of ESC(electrostatic chuck). In this work, 3D mathematical modeling is used to inves...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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식각 공정에서 웨이퍼의 온도와 지수함수 형태의 상관 관계를 보이는 값은 어떤 것인가? | 반도체 식각 공정에서는 웨이퍼의 온도분포가 CD(critical dimension) 산포에 직접적인 영향을 주는 주요한 공정인자로 웨이퍼 면내의 온도제어가 매우 중요하다. 식각 공정에서 웨이퍼의 온도는 식각율(Etchrate), 식각균일도, 선택비 등과 지수함수 형태의 상관 관계를 보인다[1]. | |
식각공정에서 냉각수 관로의 형상을 고려한 정전척의 온도분포는 어떠한가? | 본 논문은 식각공정에서 정전척의 온도분포를 냉각수 관로의 형상을 고려하여 해석하였다. 정전척의 복잡한 구조로 인해 냉각수 관로가 제한되어 정전척 표면의 온도는 산포를 가지며 냉각수 유량이 증가함에 따라 온도 산포가 개선되나 평균온도도 같이 변화함을 보였다. | |
반도체 산업에서 중요한 요소는 어떤 것이 있는가? | 반도체 산업에서 생산성과 원가경쟁력 향상을 위한 웨이퍼 대구경화와 소자 선폭의 미세화는 중요한 요소이다. 이를 위한 반도체 각 공정에서의 적절한 공정 설계와 더불어 공정 장비의 개선이 계속 진행되고 있다. |
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Tretheway, D. and Aydil, E. S., "Modeling of Heat Transport and Wafer Heaing Effects during Plasma Etching," J. Electrochem. Soc., Vol. 143, pp. 3674-3680., 1996.
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Kelkar, U.M., Gordon, M. H., Roe, L. A. and Li, Y., "Diagnostics and modeling in a pure argon plasma: Energy balance study," J. Vac. Sci. Technol. A17, pp.125-132., 1999.
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