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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.5, 2011년, pp.364 - 369
이진민 ((주)엘엔티연구소)
Analyzing electrical degradation of polycrystalline silicon transistor to applicable at several environment is very important issue. In this research, after fabricating p channel poly crystalline silicon TFT (thin film transistor) electrical characteristics were compare and analized that changed by ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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저온에서 제작된 실리콘 박막트랜지스터를 센서에 적용할 경우 어떤 문제점이 있는가? | 최근 MEMS (micro electro mechanical system)기술과 NEMS (nano electro mechanical system)기술의 발전에 힘입어 센서와 구동회로를 하나의 기판에 집적화하기 위한 USN (ubiquitous sensor network)용 소자로 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 (polycryst alline silicon thin film transistor)에 대한 관심이 높아지고 있다. 디스플레이 분야에서는 저가의 글라스 기판에 제조하기 위해 625℃미만에서 제조된 저온 실리콘 박막 트랜지스터에 대한 연구가 집중적으로 진행되어왔으나 [1] 저온에서 제작된 실리콘 박막트랜지스터 (Si TFT)를 센서에 적용할 경우 소자의 사용환경이 고온으로 올라가거나 활성층 실리콘이 형성된 온도와 비슷한 열에너지를 받으면 활성층 실리콘의 결정화에 의존해 전기적 특성도 급격한 변화가 발생되는 문제점이 있다. 반면에 625℃ 이상의 고온에서 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자는 활성층 실리콘의 결정입자와 결정입계가 가지고 있는 결함이 저온의 소자보다 적어 높은 on전류와 낮은 문턱전압 등의 전기적 특성을 가지고 있을 뿐 아니라 고온 열처리에 의한 실리콘 활성층의 안정화로 인해 센서분야의 활용성 측면에서 많은 주목이 되고 있다 [2, 3]. | |
625℃ 이상의 고온에서 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자가 센서분야의 활용성 측면에서 많은 주목이 되고 있는 이유는 무엇인가? | 디스플레이 분야에서는 저가의 글라스 기판에 제조하기 위해 625℃미만에서 제조된 저온 실리콘 박막 트랜지스터에 대한 연구가 집중적으로 진행되어왔으나 [1] 저온에서 제작된 실리콘 박막트랜지스터 (Si TFT)를 센서에 적용할 경우 소자의 사용환경이 고온으로 올라가거나 활성층 실리콘이 형성된 온도와 비슷한 열에너지를 받으면 활성층 실리콘의 결정화에 의존해 전기적 특성도 급격한 변화가 발생되는 문제점이 있다. 반면에 625℃ 이상의 고온에서 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 소자는 활성층 실리콘의 결정입자와 결정입계가 가지고 있는 결함이 저온의 소자보다 적어 높은 on전류와 낮은 문턱전압 등의 전기적 특성을 가지고 있을 뿐 아니라 고온 열처리에 의한 실리콘 활성층의 안정화로 인해 센서분야의 활용성 측면에서 많은 주목이 되고 있다 [2, 3]. 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 특성은 활성층이 가진 미결합 부위에서 발생되는 전하가 인가되는 드레인과 게이트 전압에 의존해 변화되는데 이러한 특성변화는 활성층 실리콘의 형성온도에 의존한 저온 소자에서 심하게 나타나는 것으로 알려져 있어 저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터에 집중되어 그 연구가 진행되어 왔다 [4]. | |
전기적 특성의 변화의 주원인은 무엇으로 해석해왔는가? | 그러나 고온에서 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 또한 높은 드레인 전압과 게이트 전압에 의해 측정이 반복될수록 발생되는 전기적 특성의 변화가 심각해 이에 대한 연구가 필요한 상황이다. 이러한 전기적 특성변화의 주원인은 활성층 실리콘의 결함이나 게이트 산화막의 결함에 형성된 고정적 전하의 역할로 해석해왔으나 고온에서 형성된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 분석에는 적합하지 않아 이에 대한 새로운 해석이 요구되고 있다. |
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