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NTIS 바로가기International journal of maritime information and communication sciences, v.9 no.3, 2011년, pp.310 - 314
Jung, Hak-Kee (Department of Electronic Engineering, Kunsan National University)
This paper has presented doping profile dependent threshold voltage for DGMOSFET using analytical transport model based on Gaussian function. Two dimensional analytical transport model has been derived from Poisson's equation for symmetrical Double Gate MOSFETs(DGMOSFETs). Threshold voltage roll-off...
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W.Haensch, E.J.Nowak, R.H.Dennard, P.M.Solomon, A.Bryant, O.H.Dokumaci, A.Kumar, X.Wang, J.B.Johnson and M.V.Fischetti, "Silicon CMOS devices beyond scaling," IBM J.Res Develop., vol.50, no.4/5, pp.339-361, 2006.
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