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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.24 no.8, 2011년, pp.609 - 615
서영호 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 도승우 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 이용현 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) , 이재성 (위덕대학교 정보통신공학과)
This paper is studied for the improvement of the characteristics of gate oxide with 3-nm-thick gate oxide by deuterium ion implantation methode. Deuterium ions were implanted to account for the topography of the overlaying layers and placing the D peak at the top of gate oxide. A short anneal at for...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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MOSFET의 크기기 점차 작아지며 발생한 대표적인 문제는 무엇인가? | 하지만 MOSFET의 크기가 점차 작아지면서 생기는 문제점이 나타나고 있다. 그 문제점 중 대두되고 있는 것이 단채널효과 (short channel effect, SCE)이다. 단채널효과 중 열전자효과(hot carrier effect)는 게이트 산화막 (gate oxide)에 산화막 트랩 (oxide trap)을 발생시킨다. | |
열전자효과는 MOSFET에 어떤 것을 발생시키는가? | 그 문제점 중 대두되고 있는 것이 단채널효과 (short channel effect, SCE)이다. 단채널효과 중 열전자효과(hot carrier effect)는 게이트 산화막 (gate oxide)에 산화막 트랩 (oxide trap)을 발생시킨다. 산화막 트랩을 최소화 하고 실리콘과 산화막 (Si-SiO2)간의 계면에 생기는 dangling band를 억제하기 위해 현재 사용되고 있는 일반적인 CMOS (complimentary metal oxide semiconductor) 공정에서는 수소 열처리 공정을 이용하여 passivation 공정을 사용하고 있다 [1]. | |
중수소란 무엇인가? | 중수소는 수소와 화학적 특성은 동일하지만, 질량이 두 배인 원소, 즉, 동위 원소이다. 중수소 이온이 소자에 주입되면 게이트 산화막 (gate oxide)과 실리콘(silicon) 계면 사이에 Si-D 결합을 형성하여 수소 열처리 공정으로 인해 생기는 NMOSFET (n-type metal oxide semiconductor field effect transistor)의 hot-carrier 열화를 억제 할 수 있다 [3,4]. |
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