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Y2O3 함량과 소결조건에 따른 상압소결 AlN 세라믹스의 열전도도 고찰
Observation of Thermal Conductivity of Pressureless Sintered AlN Ceramics under Control of Y2O3 Content and Sintering Condition 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.48 no.5, 2011년, pp.368 - 372  

나상문 ((주)와이제이씨) ,  고신일 ((주)와이제이씨) ,  이상진 (국립목포대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Aluminum nitride (AlN) has excellent thermal conductivity, whereas it has some disadvantage such as low sinterability. In this study, the effects of sintering additive content and sintering condition on thermal conductivity of pressureless sintered AlN ceramics were examined on the variables of 1~3 ...

주제어

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문제 정의

  • 질소분위기에서 후 열처리를 함으로써 열전도도를 높이는 연구가 보고된 바 있다.17) 질소분위기에서의 소결 조건, 그리고 AlN 분말에 포함되어 있는 미량의 카본과 탈바인더 공정에서 남은 잔류카본 등18)이 고려되어야 하는 부분이며, 본 연구에서는 이러한 카본의 환원으로 산소를 제거함으로써 열전도도에 미치는 영향을 살펴보았다. Fig.
  • 를 소결조제로 하여 첨가제의 양과 소결시간의 변화에 따른 열전도도 특성을 평가하였다. 또한 주어진 소결 조건하에서 열탄소환원 반응이 열전도도에 미치는 영향도 고찰하였다. 특히 본 연구에서는 이러한 공정변수에 따른 AlN의 미세구조 변화를 중심으로 이에 따른 열전도도의 변화를 고찰하였다.
  • 본 연구에서는 흑연발열체로 이루어진 고온 진공로에서 행하여지는 AlN의 상압소결에 있어, Y2O3를 소결조제로 하여 첨가제의 양과 소결시간의 변화에 따른 열전도도 특성을 평가하였다. 또한 주어진 소결 조건하에서 열탄소환원 반응이 열전도도에 미치는 영향도 고찰하였다.
  • 또한 주어진 소결 조건하에서 열탄소환원 반응이 열전도도에 미치는 영향도 고찰하였다. 특히 본 연구에서는 이러한 공정변수에 따른 AlN의 미세구조 변화를 중심으로 이에 따른 열전도도의 변화를 고찰하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
질화알루미늄은 어느 분야에서 각광받고 있는가? 질화알루미늄 (AlN)은 320 W/mK에 달하는 우수한 열적 특성을 가지는 비산화물 재료이며, 전기절연성과 내화학 성이 우수하기 때문에 고집적 전자회로용 기판재료, 레이저 발진부 등의 방열부재, 반도체 제조 장치의 반응 용기 부재, 정밀 기계 부재 등의 분야에서 각광 받고 있다. 특히, AlN 은 알루미나의 5배에 이르는 열적 특성과 Si과 유사한 열팽창계수 (4.
질화알루미늄의 장점은? 질화알루미늄 (AlN)은 320 W/mK에 달하는 우수한 열적 특성을 가지는 비산화물 재료이며, 전기절연성과 내화학 성이 우수하기 때문에 고집적 전자회로용 기판재료, 레이저 발진부 등의 방열부재, 반도체 제조 장치의 반응 용기 부재, 정밀 기계 부재 등의 분야에서 각광 받고 있다. 특히, AlN 은 알루미나의 5배에 이르는 열적 특성과 Si과 유사한 열팽창계수 (4.
질화알루미늄이 반도체 공정용 부재로 주목받고 있는 이유는? 질화알루미늄 (AlN)은 320 W/mK에 달하는 우수한 열적 특성을 가지는 비산화물 재료이며, 전기절연성과 내화학 성이 우수하기 때문에 고집적 전자회로용 기판재료, 레이저 발진부 등의 방열부재, 반도체 제조 장치의 반응 용기 부재, 정밀 기계 부재 등의 분야에서 각광 받고 있다. 특히, AlN 은 알루미나의 5배에 이르는 열적 특성과 Si과 유사한 열팽창계수 (4.2 × 10−6/oC )를 가지며 내플라스마성이 우수하여 반도체 공정용 부재로 주목 받고 있다.1-3) 그러나 질화알루미늄은 상온에서 공기 중의 수분과 반응하여 Al(OH)3로가수분해 되기 쉽고, 강한 공유결합과 낮은 자기 확산계 수로 인하여 소결이 어려운 재료로 알려져 있다.
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참고문헌 (18)

  1. G. A. Slack, "Nonmetallic Crystals with High Thermal Conductivity." J. Phys. Chem. Solids," 34 321-35 (1973). 

  2. L. M. Sheppard, "Aluminum Nitride : a Versatile but Challenging Material," Am. Ceram. Soc. Bull., 69 1801-12 (1990). 

  3. Y. Baik and R. A. Drew, "Aluminum Nitride : Processing and Applications," Key Eng. Mater., 122-124 553-60 (1996). 

  4. J. H. Chae, J. S. Park, J. P. Ahn, and K. H. Kim, "Microstructure and Thermal Conductivity of AlN Ceramics with $Y_2O_3$ Fabricated by Pressureless Sintering," J. Kor. Crystal Growth and Crystal Tech., 19 33-8 (2009). 

  5. K. Komeya, H. Hiroshi, and A. Tsuge, "Effect of Various Additives on Sintering of Aluminum Nitride," J. Ceram. Soc. Japan, 89 330-6 (1981). 

  6. M. Kasori and F. Ueno, "Thermal Conductivity Improvement of YAG Added AlN Ceramics in Grain Boundary Elimination Process," J. Euro. Ceram. Soc., 15 435-43(1995). 

  7. K. Watari, K. Ishizaki, and T. Fujikawa, "Thermal Conductivity Mechanism of Aluminum Nitride," J. Mater. Sci., 27 2627-30 (1992). 

  8. K. Komeya, H. Inoue, and A. Tsuge, "Effect of Various Additives on Sintering of Aluminum Nitride," J. Jpn. Ceram. Soc, 108 S93-S100 (2000). 

  9. K. Komeya, H. Inoue, and A. Tsuge, "Role of $Y_2O_3$ and $SiO_2$ Additions in Sintering of AlN," J. Am. Ceram. Soc., 57 411 (1974). 

  10. A. V. Vickar, T. B. Jackson, and R. A. Cutler, "Thermdoynamic and Kinetic Effects of Oxygen Removal on the Thermal Conductivity of Aluminum Nitride," J. Am. Ceram. Soc., 72 2031-42 (1989). 

  11. T. B. Jackson, A. V. Virkar, K. L. More, R. B. Dinwideie, and R. A. Culter, "High Thermal Conductivity of Aluminum Nitride Ceramics : the Effect of Thermodynamic, Kinetic and Microstructural Factors," J. Am. Ceram. Soc., 80 1421-35 (1997). 

  12. G. Pezzotti, A. Nakahira, and M. Tahjika, "Effect of Extended Annealing Cycles on the Thermal Conductivity of $AlN/Y_2O_3$ Ceramics," J. Euro. Ceram. Soc., 20 1319-25 (2000). 

  13. S. Mitra, G. Dutta, and I. Dutta, "Effect of Heat Treatment on the Microstructure and Properties of Dense AlN Sintered with $Y_2O_3$ Additions," J. Am. Ceram. Soc., 78 2335-44 (1995). 

  14. K. Watari and H. Nankato, "Microstructure and Thermal Conductivity Mechanism of High-Thermal-Conductivity AlN Ceramics," J. Jpn. Ceram. Soc., 39 678-83 (2004). 

  15. K. Watrari, M. Kawamoto, and K. Ishizaki, "Sintering Chemical Reactions to Increase Thermal Conductivity of Aluminum Nitride," J. Mater. Sci., 26 4727-32 (1991). 

  16. T. Nakamatsu, F. Pomar, and K. Ishizaki, "The Effect of Carbon Coating of AlN Powder on Sintering Behavior and Thermal Conductivity," J. Mater. Sci., 34 1553-56 (1999). 

  17. S. M. Lee and D. G. Kim, "Development of AlN Ceramics for Semiconductor Industry," Ceramist, 12 [1] 18-25 (2009). 

  18. S. G. Ko, "Property and Application of AlN Ceramic," Ceramist, 14 [1] 29-34 (2011). 

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