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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.10 no.2, 2011년, pp.39 - 44
In this study, we have investigated the structural and electrical characteristics of IZO thin films deposited on flexible substrate for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, PES was used for flexible substrate and IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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ITO (Indium Tin Oxide) 박막이란 무엇인가? | 이러한 투명 전도성 산화물 박막 중 가장 널리 사용되고 있는 물질인 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 n-type의 전도특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드 갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기 전도성을 나타낸다[4,5]. 그러나 ITO 박막이 높은 전기 전도특성과 광투과율을 얻기 위해서는 250 이상의 고온 증착이 요구되며 300 이상에서 증착 후 열처리를 해야만 한다. | |
ITO 박막이 높은 전기 전도 특성과 광투과율을 얻기 위해 거쳐야 하는 과정은 무엇인가? | 이러한 투명 전도성 산화물 박막 중 가장 널리 사용되고 있는 물질인 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 n-type의 전도특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드 갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기 전도성을 나타낸다[4,5]. 그러나 ITO 박막이 높은 전기 전도특성과 광투과율을 얻기 위해서는 250 이상의 고온 증착이 요구되며 300 이상에서 증착 후 열처리를 해야만 한다. 이러한 고온 공정들은 ITO 박막의 결정 화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다. | |
ITO (Indium Tin Oxide) 박막 공정에서 발생 할 수 있는 문제점은 무엇인가? | 그러나 ITO 박막이 높은 전기 전도특성과 광투과율을 얻기 위해서는 250 이상의 고온 증착이 요구되며 300 이상에서 증착 후 열처리를 해야만 한다. 이러한 고온 공정들은 ITO 박막의 결정 화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다. 또, 원료 물질인 인듐의 독성, 스퍼터링시 음이온 충격에 의한 막 손상에 의한 전기저항 증가의 문제점이 있으며 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우에 유기물과의 계면 부적합성, 수소플라즈마에 대한 불안정성 등이 문제점으로 지적되고 있다[4,5]. |
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