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NTIS 바로가기반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.11 no.4, 2012년, pp.19 - 23
강태영 (가천대학교 전기공학과) , 김경환 (가천대학교 전기공학과)
We report microbolometer characteristic with n-type and p-type amorphous silicon thin film. The n-type and p-type amorphous silicon thin films were made by PECVD. The electrical properties of n-type and p-type a-Si:H thin films were investigated as a function of doping gas flow rate. The doping gas ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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적외선 센서는 어떻게 분류되는가? | 적외선 영상을 가능케 하는 적외선 센서는 크게 입사광에 의해 도전율의 변화와 광기전력을 검출하는 양자형(Photon detector)과 방사에너지 흡수에 의해 온도 변화에 따른 전기적 신호를 검출하는 열전형(Thermal detector)으로 크게 두가지로 분류된다. 양자형 소자로 PbS, HgCdTe, InSb, InAsSb, Ge 등이 사용 되어 지며 감도가 높고 응답속도가 빠르나 0 K를 유지 할 수 있는 냉각장치가 필요하며, 고유 파장 의존성에 의한 측정 영역이 제한되어 진다는 단점이 있다[1]. | |
TCR은 어떠한 경우에 볼로미터가 입사 되어진 적외선 광량에 의한 응답도 역시 커지게 되는가? | TCR은 볼로미터의 중요한 구동 원리 중에 하나이다. 식 1에서와 온도에 의해 저항이 변하는 정도를 정량화한 요소이며 온도변화에 의해 저항 변화가 크면 그에 의해 볼로미터가 입사 되어진 적외선 광량에 의한 응답도도 역시 크게 된다. 또한 TCR은 반도체의 활성화 에너지에 의해 결정 되어 지게 된다. | |
열저항형 적외선 센서 소자 물질에는 어떠한 것이 있는가? | 열저항형 적외선 센서 소자 물질로 대표적으로 금속에는 Pt, Ti가 있으며, 산화물계 재료로서는 VO2, V2O3 그리고 V2O5 등의 산화바나듐을 이용하고 있다[3]. 특히 반도체 재료로는 비정실 실리콘 박막이 이용된다. |
E. L. Der eniak and G. D. Boreman, "Infrared Detectors and Systems ," John Wiley&Son s , (1996)
A. Rogalski, "infrared detectors: status and trends," Prog. Quantl. Electron. 27 (2003) 59-210
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S. A. Filonovich, P. Alpuim, L. Rebouta, J. E. bouree, Y. M. Soro, "Hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon solar cells deposited by HWCVD and RF-PECVD on plastic substrates at $150^{\circ}C$ ," J. of Non-Cryst. solids, Vol. 354, pp. 2376- 2380, 2008
Paul W. Kruse, David D. Skatrud, "Uncooled Thermal Imaging Arrays and Systems," SPIE press, Washington, 47-75 (1997).
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