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[국내논문] 에너지 절감형 탄화규소 (SiC) 금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터 연구동향 원문보기

전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.25 no.1, 2012년, pp.5 - 11  

강민석 (광운대학교 전자재료공학과) ,  전기영 (한국산업기술평가관리원) ,  이진우 (한국산업기술평가관리원) ,  구상모 (광운대학교 전자재료공학과)

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제안 방법

  • 그림 1. SiC vs GaN 소자구조 특성 비교.

대상 데이터

  • 기존의탄화규소는 350 두께를 가지는 웨이퍼를 사용하였다. 하지만 Back-side를 그라인드 (Grind)하여 웨이 퍼 의 두께를 110 皿I로 만드는 Thin SiC 웨이 퍼 기술을 소자로 접목시켰을 경우 온-저항이 48% 감소하여 소자특성향상 뿐만 아니 라, Sawing 비용의 절감을 가져온다.
  • 그림 8. Thin SiC 웨이퍼 기술을 활용한 650V SBD 소자특성 분석 데이터.
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