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Plasma Resistance and Etch Mechanism of High Purity SiC under Fluorocarbon Plasma 원문보기

한국세라믹학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.49 no.4, 2012년, pp.328 - 332  

Jang, Mi-Ran (Engineering Ceramic Center, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology (Icheon)) ,  Paek, Yeong-Kyeun (School of Materials Science and Engineering, Andong National University) ,  Lee, Sung-Min (Engineering Ceramic Center, Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology (Icheon))

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Etch rates of Si and high purity SiC have been compared for various fluorocarbon plasmas. The relative plasma resistance of SiC, which is defined as the etch rate ratio of Si to SiC, varied between 1.4 and 4.1, showing generally higher plasma resistance of SiC. High resolution X-ray photoelectron an...

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  • 1. Etch rates of Si and SiC as functions of (a) bias power without oxygen flow and (b) oxygen flow rate at a bias power of 100 W.
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참고문헌 (20)

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