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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.16 no.7, 2012년, pp.1463 - 1469
This paper has presented the influence of scaling theory on short channel effects of double gate(DG) MOSFET in subthreshold region. In the case of conventional MOSFET, to preserve constantly output characteristics,current and switching frequency have been analyzed based on scaling theory. To analyze...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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모바일 기기의 가장 큰 장점은? | 최근 모바일기기의 보급 활성화에 부응하면서 집적회로의 기능 및 응용범위가 확대되고 있다. 모바일 기기의 가장 큰 장점은 휴대성이다. 이에 집적회로의 크기감소는 필연적인 사항이 되었다. | |
기존의CMOSFET의 문제점은? | 단채널 효과는 채널크기가 감소하면서 발생하는 기생현상으로써 결국 감소시켜야만 한다. 기존의CMOSFET의 경우 채널크기 감소에 따른 단채널 효과는 매우 심각하게 나타나고 있어 새로운 구조의 트랜지스터 개발이 절실해 지고 있다. 이 중 연구가 활발히 진행되고 있는 소자로는 구조를 개선하여 게이트의 갯수를 증가시키는 다중게이트 MOSFET가있다. | |
이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하여 얻은 결론은? | 이중게이트 MOSFET에서 단채널효과에 대한 스켈링 이론의 적용 결과를 분석하기 위하여 문턱전압, 드레인유기장벽감소 현상 및 문턱전압이하 스윙의 변화 등을 스켈링인자에 따라 관찰하였다. 이온주입범위 및 분포편차를 스켈링인자에 따라 Rp/S와 σp/S로 스켈링하였을경우 문턱전압 이하 스윙은 거의 일정하게 유지되고 있었다. 그러므로 이온주입범위 및 분포편차도 동일하게 스켈링하여야 할 것이다. 스켈링 인자가 증가하면 채널도핑이 증가하여 페르미전위의 증가에 의한 문턱전압 증가 현상을 나타내고 있었다. 또한 스켈링 여부에 관계없이 문턱전압이동 현상은 발생하나 스켈링 인자가 커지면 문턱전압이동 정도가 감소한다는 것을 관찰할 수 있었다. 그러나 스켈링 인자는 드레인유기장벽감소 현상에는 거의 영향을 미치지 못한다는 것을 알 수 있다. 스켈링인자의 가중치적용에 대한 분석결과, 가중치가 0.5로 주어진 경우 문턱전압이하 스윙 및 드레인유기장벽감소 현상은 작아지는 것을 알 수있었다. 또한 이온주입범위 및 분포편차가 작아지면 문턱전압이하 스윙 및 드레인유기장벽감소 현상이 감소하여 단채널효과를 감소시킬 수 있었다. 이상의 결과는 이중게이트 MOSFET의 스켈링 이론에 대한 기초자료로 사용될 수 있으리라 사료된다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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