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NTIS 바로가기세라미스트 = Ceramist, v.16 no.4, 2013년, pp.45 - 52
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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탄화규소는 형상 및 미세구조를 다양하게 제어함으로써 어떠한 용도로 사용될 수 있는가? | 1). 섬유상이나 다공체 또는 코팅 등 탄화규소의 형상 및 미세구조를 다양하게 제어함으로써 초고온용 섬유강화복합소재 (SiCf/SiC composites)나 다공성 단열소재 또는 극한 환경용 내식/내화학 소재로 사용할 수 있다.2-5) 특히 SiCf/SiC 복합체는 고온고강도 및 고내열 특성을 겸비한 경량 소재로 알려져 있으며 기존의 고온용 금속소재의 문제점을 극복할 수 있는 신소재로 항공우주용 내열소재, 고성능 브레이크디스크 (brake disc), 핵융합 발전용 Blanket 구조재, GFR 및 VHTR 소재 등 다양한 극한 환경 분야의 응용 연구가 활발히 진행되고 있다. | |
초고순도 탄화규소 분말에 존재하는 주요 불순물은? | 초고순도 탄화규소 분말에 있어서 주요 불순물로 Al, B, Fe, Ti, V 등 반도체 공정 또는 전력반도체용 기판의 특성에 영향을 미치는 금속불순물을 들 수가 있다. 일부는 공정 중 쉽게 제거되거나 관리될 수 있는 원소도 있지만 대부분의 원소가 탄화규소 내에서 쉽게 제거되지 않는다. | |
고집적화 및 기판 대구 경화에 따라 반도체 공정에서 사용되는 부품에 대한 요구사항은? | 반도체 산업의 고도화에 따른 고집적화 및 기판 대구 경화 (2021년 실리콘 기판 650 mm 예상) 기술개발이 가속화되고 있는 상황에서 반도체 공정 (기판의 산화, 확산 및 에칭 등)에 사용되는 부품/치구에 대한 요구사항도 점차 높아지고 있다. 주요 요구사항으로 반도체용 기판, 부품/치구의 초고순도화이다.7,10) 반도체 기판에서 밴드갭의 도너 또는 억셉터 역할을 하는 금속 불순물들은 원치 않는 오염에 의해 기판의 도너/억셉터 농도 제어가 어려워지거나 또는 2차, 3차의 도너/억셉터 레벨을 형성하여 반도체 특성을 저하시키는 원인으로 작용하게 된다. |
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