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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.12 no.4, 2013년, pp.21 - 25
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This paper is for enhancing the breakdown voltage of MHEMTs with an InP-etchstop layer. The fully removed recess structure in the drain side of MHEMT shows that the breakdown voltage enhances from 2 V to 4 V in the previous work. This is because the surface effect at the drain side decreases the cha...
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 30 GHz에서 3 THz 주파수 대역용 InP 기반 HEMT 소자의 문제점을 극복하기 위한 대안으로 어떤 연구들이 국내에서 시대되고 있는가? | 이 소자의 가장 큰 문제로 아직은 비용이 GaAs 기반 소자에 비해 비싸며, 4인치 이상의 에피 웨 이퍼 생산이 어렵고, 제작 시 깨지기 쉬워 취급하기 어렵다는 문제점을 안고 있다. 이에 대한 대안으로 InP 에피구조를 GaAs기판 위에 성장시킨 MHEMT (Metamorphic HEMT)에 대한 연구들이 국내에서도 많이 시도되고 진행되어 왔으며 위에서 언급한 InP 기반 MIMIC제작시의 단점을 극복할 수 있는 뛰어난 주파수 특성을 갖는 HEMT 소자로 자리 매김하고 있다[1,2]. | |
| 전력소자로서의 MHEMT 우수성이 제한을 받는 이유는? | InGaAs 채널층을 갖는 MHEMT 소자의 우수한 RF 특성에 비해 비교적 낮은 항복 전압으로 인해 전력소자로서의 MHEMT 우수성이 제한을 받기 때문에 본 논문에서는 이전 연구에 이어 MHEMT 소자의 항복 전압을 보다 더 개선하기 위해 InGaAs 채널층을 InGaAs/InP 복합 채널 구조로 변경하여 시뮬레이션을 수행하였고, 그 결과인 항복 특성을 비교 분석하였고 RF 특성 변화를 보였다. | |
| 30 GHz에서 3 THz 주파수 대역용 InP 기반 HEMT 소자의 문제점은? | 이러한 주파수 대역용 InP 기반 HEMT 소자는 우수한 주파수 특성을 보여 주고 있지만 몇 가지 문제점을 가지고 있다. 이 소자의 가장 큰 문제로 아직은 비용이 GaAs 기반 소자에 비해 비싸며, 4인치 이상의 에피 웨 이퍼 생산이 어렵고, 제작 시 깨지기 쉬워 취급하기 어렵다는 문제점을 안고 있다. 이에 대한 대안으로 InP 에피구조를 GaAs기판 위에 성장시킨 MHEMT (Metamorphic HEMT)에 대한 연구들이 국내에서도 많이 시도되고 진행되어 왔으며 위에서 언급한 InP 기반 MIMIC제작시의 단점을 극복할 수 있는 뛰어난 주파수 특성을 갖는 HEMT 소자로 자리 매김하고 있다[1,2]. |
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