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[국내논문] Low-e용 산화물 다층박막 IGZO/Ag/IGZO의 구조적, 광학적 특성 분석
Structural and Optical Properties of Multilayer Films of IGZO / Ag / IGZO for Low Emissivity Applications 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.26 no.4, 2013년, pp.321 - 324  

왕홍래 (청주대학교 전자공학과) ,  김홍배 (청주대학교 반도체공학과) ,  이상렬 (청주대학교 반도체공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this study, The RF magnetron sputter and evaporator was on glass substrates 30 mm ${\times}$ 30 mm OMO multilayer thin film structure is applied to the low-e. Structural and optical properties, a thin film was produced, the variable was placed into a variable deposition time of the oxi...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구는 OMO 박막의 산화물 층의 증착 시간에 따른 특성에 대해 연구했다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
OMO 박막의 경우 투과되는 빛 에너지가 줄어드는 이유는? 이 구조는 organic solar cell이나 TCO 등의 여러 가지 분야에 연구되어 새로운 유리 코팅인 low-emissivity, flat panel display, organic light-emitting diodes 등 매우 낮은 시트저항을 갖으며 높은 투과율을 보이는 것을 OMO 박막의 광학적, 전기적 특성 변화에 대해 증명 됐다 [1-5]. 또한 1.43 eV의 밴드갭을 가지고 있는데 밴드갭 이상의 에너지를 가지고 있는 가시광이 비춰지면 가전자대의 전자가 전도대로 여기되는 현상으로 빛 에너지가 손실되고, 이로 인해 투과되는 빛 에너지가 줄어들게 되는 반면 산화물 반도체는 3.1 eV 이상의 높은 밴드갭을 가지고 있어 가시광의 흡수가 일어나지 않고 투과되어 투명한 박막제작에 용이하다 [6].
OMO (oxide-metal-oxide) 구조란? OMO (oxide-metal-oxide) 구조는 두 개의 산화물 층과 하나의 메탈 층으로 구성이 되어있다. 이 구조는 organic solar cell이나 TCO 등의 여러 가지 분야에 연구되어 새로운 유리 코팅인 low-emissivity, flat panel display, organic light-emitting diodes 등 매우 낮은 시트저항을 갖으며 높은 투과율을 보이는 것을 OMO 박막의 광학적, 전기적 특성 변화에 대해 증명 됐다 [1-5].
산화물 반도체의 장점은? 또한 1.43 eV의 밴드갭을 가지고 있는데 밴드갭 이상의 에너지를 가지고 있는 가시광이 비춰지면 가전자대의 전자가 전도대로 여기되는 현상으로 빛 에너지가 손실되고, 이로 인해 투과되는 빛 에너지가 줄어들게 되는 반면 산화물 반도체는 3.1 eV 이상의 높은 밴드갭을 가지고 있어 가시광의 흡수가 일어나지 않고 투과되어 투명한 박막제작에 용이하다 [6].
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참고문헌 (9)

  1. C. Guillen and J. Herrero, Sol. Energ. Mater. Sol. Cells, 92, 938 (2008). 

  2. J. A. Jeong and H. K. Kim, Sol. Energ. Mater. Sol. Cells, 93, 1801 (2009). 

  3. E. Ando and M. Miyazaki, Thin Solid Films, 392, 289 (2001). 

  4. K. H. Choi, Y. Y. Choi, J. A Jeong, H. K. Kim, and S. Jeonb, Electrochem. Solid-State Lett., 14, H152 (2011). 

  5. H. K. Park, J. A. Jeong, Y. S. Park, S. I. Na, D. Y. Kim, and H. K. Kim, Electrochem. Solid-State Lett., 12, H309 (2009). 

  6. D. P. Notron, Mat. Sci. Eng., 43, 139 (2004). 

  7. N. Kawasaki, Y. Kubozo, H. Okamoto, A. Fujiwara, and M. Yamaji, Appl. Phys. Lett., 94, 043310 (2009). 

  8. Junxi Zhang, Lide Zhang, and Wei Xu, Appl. Phys., 45, 113001 (2012). 

  9. X. Chen, W. Guan, G. Fang, and X. Z. Zhao, Appl. Surf. Sci., 252, 1561 (2005). 

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