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NTIS 바로가기한국정보통신학회논문지 = Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering, v.18 no.5, 2014년, pp.1143 - 1148
정학기 (Department of Electronic Engineering, Kunsan National University)
This paper has analyzed the change of subthreshold swing for doping distribution function of asymmetric double gate(DG) MOSFET. The basic factors to determine the characteristics of DGMOSFET are dimensions of channel, i.e. channel length and channel thickness, and doping distribution function. The d...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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반도체의 미세화는 일반적으로 어떤 효과가 있는가? | 반도체 산업의 가장 큰 화두는 미세화이다. 미세화는 생산량을 증가시키고 수율을 증대시켜 각 업체별 가격 경쟁의 핵심이 되고 있다. 그러나 무조건 미세화가 집적회로의 가격을 감소시키는 것은 아니다. | |
20nm 이하로 미세화를 하게 되면 왜 단가가 상승하게 되는가? | 그러나 무조건 미세화가 집적회로의 가격을 감소시키는 것은 아니다. 20 nm이하로 미세화가 진행될 경우 각 셀 간의 간섭현상이 심해져 이를 방지하기 위한 추가적인 구조가 요구되므로 미세화가 오히려 집적회로의 단가를 상승시키는 요인으로 작용하고 있다. 특히 웨이퍼크기가 증가하면 굳이 미세화를 통한 집적회로의 대용량화보단 칩 면적을 늘려 메모리 등 소자의 대용량화를 추진하는 것이 단가를 더욱 하락시킬 것이다. | |
문턱전압이하 스윙 값에 대해 비대칭 이중게이트 MOSFET의 장점은? | 이와 같은 문제점을 해결하기 위하여 고안된 이중 게이트 MOSFET소자는 게이트단자를 상단과 하단에 제작함으로써 채널 내 전하의 제어를 두 개의 게이트가 담당하도록 하여 게이트 단자에 의한 전류제어능력을 두 배 가까이 향상시킬 수 있다. 특히 상하단 게이트 산 화막 두께 및 인가전압 등을 달리 제작한 비대칭 이중 게이트 MOSFET구조는 4 단자소자로서 문턱전압이하 스윙 값을 제어할 수 있는 단자가 대칭 이중게이트 MOSFET보다 많아 다양하게 제어 파라미터를 제공할 수 있다. Ding 등[7]은 일정한 채널 내 도핑을 사용하여 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이하 스윙을 분석하였다. |
http://www.kipo.go.kr/kpo/user.tdf?auser.etc.cyberPost.BoardUserApp& c2004&catmenum04_05_02&sn243&year2010
G.Dessai and G.Gildenblat,"Inclusion of the Accumulation Region in the Compact Models of Bulk and SOI FinFETs,"IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no.8, pp.2644-2651, 2011.
S.Jandhyala and S.Mahapatra,"Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetriy", Electronics Lett., vol.48, no.13, pp.794-795, 2012.
S.Jandhyala, R.Kashyap, C.Anghel and S.Mahapatra," A simple charge model for symmetric double-gate MOSFETs adapted to gate-oxide-thickness asymmetry",IEEE Trans. Electron Devices, vol. 59, no.4, pp.1002-1007, 2012.
J.M.Sallese, N.Chevillon, F.Pregaldiny, C.Lallement and B. Iniguez,"The equivalent-thickness concent for doped symmetric DGMOSFETs",IEEE Trans. Electron Devices, vol. 57, no.11, pp.2917-2924, 2010.
Z.Ding, G.Hu, J.Gu, R.Liu, L.Wang and T.Tang, "An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs, " Microelectronics J., vol.42, pp.515-519, 2011.
P.K. Tiwari, S. Kumar, S. Mittal, V. Srivastava, U. Pandey and S. Jit, "A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double-Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile," IMPACT-2009, pp.52-55, 2009.
H.K.Jung and D.S.Cheong,"Analysis for Relation of Oxide Thickness and Subthreshold Swing of Asymmetric Double Gate MOSFET," Conference on Information and Communication Eng., vol.17, no.2, pp.698-701, 2013.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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