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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.27 no.7, 2014년, pp.438 - 442
유재남 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 권성규 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 신종관 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 오선호 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 장성용 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 송형섭 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이가원 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자전파정보통신공학과)
Channel length dependence of NBTI (negative bias temperature instablilty) and CHC (channel hot carrier) characteristics in PMOSFET is studied. It has been considered that HC lifetime of PMOSFET is larger than NBTI lifetime. However, it is shown that CHC degradation is greater than NBTI degradation f...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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PMOSFET의 신뢰성 분석이 중요한 이유는? | 특히 digital 회로 및 ADC/DAC 등의 analog 회로에서 폭넓게 사용되는 PMOSFET의 경우, 그 동작조건에 따라 NBTI (negative bias temperature instability) 스트레스와 CHC (channel hot carrier) 스트레스를 받게 되어 이러한 신뢰성 분석은 매우 중요하다 [3,4]. 반전 동작 (inversion operation) 시, pMOSFET의 채널 영역에 있는 정공들에 의해 NBTI에 의한 특성 열화가 발생한다 [5]. | |
MOSFET은 어떻게 변하고 있는가? | MOSFET의 동작 전압 및 소비 전력 감소, 성능 향상을 위해 고집적화, 미세화가 이루어지고 있으며, 대표적으로 MOSFET의 채널 길이(channel length)가 경쟁적으로 감소되고 있다. 하지만 채널 길이가 감소됨에 따라 MOSFET의 신뢰성 문제도 함께 대두되고 있다 [1,2]. | |
PMOSFET에 NBTI 스트레스는 어떤 영향을 주는가? | 고온에서 이 정공들로 인해 Si-H 결합이 깨지게 되며, 절연체 내에 fixed oxide charge가 형성되기도 한다 [2]. NBTI 스트레스는 pMOSFET에서 가장 열화가 심한 스트레스로 여겨지고 있으며, 이로 인해 NBTI 스트레스 이후의 소자 수명은 다른 스트레스들 이후의 수명보다 더 낮다 [6]. CHC 스트레스 이후의 pMOSFET의 신뢰성은 이미 오랫동안 많이 연구되어 왔다 [7-9]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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