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CGL의 재료에 따른 청색 형광 Tandem OLED의 발광 특성
Emission Characteristics of Blue Fluorescence Tandem OLED with Materials of CGL 원문보기

한국표면공학회지 = Journal of the Korean institute of surface engineering, v.47 no.4, 2014년, pp.210 - 214  

곽태호 (대진대학교 신소재공학과) ,  주성후 (대진대학교 신소재공학과)

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

We investigated emission characteristics of tandem organic light emitting devices (OLEDs) with p-type materials as charge generation layer. The tandem OLEDs were fabricated by using $MoO_x$, $WO_x$, C60 and HATCN as p-type material or not using p-type material for charge genera...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 연구에서는 전하생성층의 p-형 물질로 사용될 수 있는 다양한 물질에 따른 적층구조 OLED의 발광특성을 연구하기 위하여 전하생성층으로 p-형 물질을 증착하지 않은 적층구조 OLED와 p-형 물질로 MoOx와 WOx, C60, HATCN (1,4,5,8,9,11- Hexaazatriphenylene-exanitrile) 중 하나를 선택하여 증착한 적층구조 OLED를 제작하였다. 제작된 소자의 전기적 광학적 특성을 분석하기 위하여 전류전압-휘도(I-V-L) 및 CIE 1931 색좌표를 측정하여 사용된 p-형 물질에 따른 적층구조 OLED의 특성을 비교하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
전하생성층은 어떤 요소인가? 발광휘도 및 수명을 향상시킬 수 있는 방법으로 적층구조 OLED가 많은 관심을 받고 있다3-8). 적층구조 OLED의 각 발광소자의 발광 층에 전자와 정공을 공급하는 전하생성층(Charge Generation Layer : CGL)은 적층구조 OLED의 발광효율을 향상시키기 위한 필수적인 요소이다. 전하생성층의 p-형 물질로는 VOx, WOx, MoOx와 같은 금속 산화물로 형성하는 방법과 낮은 LUMO (Lowest Unoccupied Molecular Orbital) 준위를 가진 물질을 사용하는 방법이 있다9-11).
적층구조 OLED의 경우 p-형 물질의 특성에 따라 전하의 흐름이 변화하는 이유는? 단일구조 OLED 보다 적층구조 OLED의 경우 유기층의 두께가 2배 증가하여 동일한 전기장이 인가되기 위하여 적층구조 OLED의 경우 인가전압이 약 2배 증가할 것으로 예상하였다. 그러나 p-형 물질로 HATCN을 사용한 경우에는 2배보다 낮은 인가전압에서 전류밀도 50 mA/cm2 를 나타내어 전류가 가장 많이 흐르는 것을 알 수 있었고, 그 이외의 적층구조 OLED에서는 2배보다 높은 인가전압을 나타내었으며, p형 물질을 사용하지 않은 적층구조 OLED에서 가장 높은 인가전압을 나타내어 전하의 흐름이 가장 적은 것을 알 수 있었다. 따라서 적층구조 OLED의 경우 p-형 물질의 특성에 따라 전하의 흐름이 변화하는 것을 알 수 있다.
유기전계발광소자는 어떤 장점이 있는가? 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Device : OLED)는 낮은 전력 소모, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 높은 명암비 및 낮은 생산 비용 등의 장점을 가지고 있고, 평판 디스플레이 및 조명용 광원으로 활성화를 위하여 지속적인 발광효율 및 수명 향상이 요구되고 있다1,2). 발광휘도 및 수명을 향상시킬 수 있는 방법으로 적층구조 OLED가 많은 관심을 받고 있다3-8).
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참고문헌 (15)

  1. C.W. Tang, S.A. Vanslyke, Appl. Phys. Lett., 51 (1987) 913. 

  2. J. Clark, G. Lanzani, Nature, 4 (2010) 438. 

  3. T. Tsutsui, M. Terai, Appl. Phys. Lett., 84 (2004) 440. 

  4. T. Tsutsui, M. Terai, Appl. Phys. Lett., 90 (2007) 083502. 

  5. Fawen Guo, Dongge Ma, Appl. Phys. Lett., 87 (2005) 173510. 

  6. Ping Chen, Wenfa Xie, Jiang Li, Tao Guan, Yu Duan, Yi Zhao, Shiyong Liu, Chunsheng Ma, Liying Zhang, Bin Li, Appl. Phys. Lett., 91 (2007) 023505. 

  7. Hongmei Zhang, Yanfeng Dai, Dongge Ma, Hongmei Zhang, Appl. Phys. Lett., 91 (2007) 123504. 

  8. Chieh-Wei Chen, Yin-Jui Lu, Chung-Chih Wu, Elbert Hsing-En Wu, Chih-WeiChu, YangYang, Appl. Phys. Lett., 87 (2005) 241121. 

  9. H. Kanno, R.J. Holmes, Y. Sun, S.K. Cohen, S.R. Forrest, Adv. Mater., 18 (2006) 339. 

  10. Mei-Yee Chan, Shiu-Lun Lai, Kit-Ming Lau, Man-Keung Fung, Chun-Sing Lee, Shuit-Tong Lee, Adv. Funct. Mater., 17 (2007) 2509. 

  11. T. Chib, Y. Pu, R. Miyazaki, K. Nakayam, H. Sasabe, J. Kido, Organic Electronics, 12 (2011) 710 

  12. J. H. Burroughes, D. D. Bradley, A. R. Brown, R. N. Marks, K. Mackay, R. H. Friend, P. L.Burns, and A.B. Holmes, Nature, 347 (1990) 539 

  13. T. H. Kwak, S. H. Ju, J. Kor. Inst. Surf. Eng., 47 (2014) 104 

  14. M. Liu, P. Chen, Q. Xue, F. Jianga, G. Xie, J. Hou, Y. Zhao, L. Zhang, B. Li, Microelectronics Journal, 39 (2008) 1622 

  15. C. H. Chang, Z. J. Wu, Y. H. Liang, Y. S. Chang, C. H. Chiu, C. W. Tai, H. H. Chang, Thin Solid Films, 548 (2013) 389 

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