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| 국가/구분 | 한국(KR)/등록특허 | |
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| 국제특허분류(IPC8판) |
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| 출원번호 | 10-2018-0039725 (2018-04-05) | |
| 공개번호 | 10-2019-0116741 (2019-10-15) | |
| 등록번호 | 10-2069706-0000 (2020-01-17) | |
| DOI | http://doi.org/10.8080/1020180039725 | |
| 발명자 / 주소 |
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| 출원인 / 주소 |
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| 대리인 / 주소 |
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| 심사청구여부 | 있음 (2018-04-05) | |
| 심사진행상태 | 등록결정(일반) | |
| 법적상태 | 등록 |
본 발명은 MOSFET 시냅스 소자 및 그의 동작 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 따른 MOSFET 시냅스 소자는 제1 도전형을 갖는 활성 영역, 상기 활성 영역을 사이에 두고 이격되어 배치되고, 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 활성 영역 상에 배치된 장기 저장부, 상기 장기 저장부 상에 배치된 게이트 구조물 및 각각은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 상기 장기 저장부와 연결하고, 상기 소스 영역 또는 상기 드레인 영역으로부터 전하를 제공받아 트랩 사이트가 포화되었
제1 도전형을 갖는 활성 영역;상기 활성 영역을 사이에 두고 이격되어 배치되고, 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 소스 영역 및 드레인 영역;상기 활성 영역 상에 배치된 장기 저장부;상기 장기 저장부 상에 배치된 게이트 구조물; 및각각은 상기 소스 영역 및 상기 드레인 영역을 상기 장기 저장부와 연결하는 제1 및 제2 단기 저장부들을 포함하고,상기 제1 또는 상기 제2 단기 저장부는 트랩 사이트들에 전하를 저장하고,상기 트랩 사이트들이 포화되었을 때, 상기 제1 또는 제2 단기 저장부는 상기 장기 저장부에 전하를 제공하
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