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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.6, 2015년, pp.371 - 374
김덕수 (충남대학교 전자전파정보통신공학과) , 이희덕 (충남대학교 전자전파정보통신공학과)
This paper suggests a high performance lateral super barrier rectifier (Lateral SBR) device which has the advantages of both Schottky diode and pn junction, that is, low forward voltage and low leakage current, respectively. Advantage of the proposed lateral SBR is that it can be easily implemented ...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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Schottky 다이오드의 장단점은? | 그러나 일반 적으로 P-N Junction 다이오드는 0.7 V 수준의 높은 순방향 전압 강하(forward voltage drop)의 단점을 가지고 있고 Schottky 다이오드는 상대적으로 낮은 순방향 전압 강하의 장점을 갖고 있지만 높은 역방향 누설 전류 (reverse leakage current)의 단점을 가지 고 있다 [4]. 하지만 아날로그 시스템 IC 제품은 낮은 소비 전력 및 효율 향상을 위해 낮은 순방향 전압 강 하와 낮은 역방향 누설 전류를 갖는 고성능 다이오드 가 요구 되고 있으나 지금까지 다이오드 소자에 대한 연구는 discrete 형태의 소자에 국한되어 특성 개선을 위한 활발하고 꾸준한 연구가 진행되고 있는 실정이다. | |
P-N Junction 다이오드의 단점은? | 아날로그 시스템 IC를 설계하기에 적합한 상용 BCD (Bipolar CMOS DMOS) 공정 [1]에서는 다양한 MOSFET이나 bipolar junction transistor 소자 외에 도 부가적인 기능을 위해 Schottky 다이오드 [2] 또는 P-N junction 다이오드를 [3] 포함한다. 그러나 일반 적으로 P-N Junction 다이오드는 0.7 V 수준의 높은 순방향 전압 강하(forward voltage drop)의 단점을 가지고 있고 Schottky 다이오드는 상대적으로 낮은 순방향 전압 강하의 장점을 갖고 있지만 높은 역방향 누설 전류 (reverse leakage current)의 단점을 가지 고 있다 [4]. 하지만 아날로그 시스템 IC 제품은 낮은 소비 전력 및 효율 향상을 위해 낮은 순방향 전압 강 하와 낮은 역방향 누설 전류를 갖는 고성능 다이오드 가 요구 되고 있으나 지금까지 다이오드 소자에 대한 연구는 discrete 형태의 소자에 국한되어 특성 개선을 위한 활발하고 꾸준한 연구가 진행되고 있는 실정이다. | |
지금까지 연구된 고 성능의 다이오드가 가지는 한계는? | 지금까지 연구된 고성능 discrete 형태의 다이오드 로는 FRD (fast recovery diode) [5], MPS (merged Pin & Schottky) [6], TMBS (trench MOS barrier Schottky) [7], SBR (super barrier rectifier) [8] 등 으로 출시되고 있다. 기존의 고성능 다이오드는 chip 의 표면 (surface)에서 바닥 (bottom)면으로 current 가 흐르는 vertical 소자로 discrete 형태로만 사용가 능하다는 한계가 있다. 즉 고성능 다이오드를 IC와 함 께 하나의 chip에서 만들 수 있는 집적화를 위한 연구는 되지 않고 있었다. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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