[논문]Design of Super-junction TMOSFET with Embedded Temperature Sensor

Lho, Young Hwan

doi:10.7471/ikeee.2015.19.2.232

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전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.19 no.2, 2015년, pp.232 - 236

Lho, Young Hwan (Dept. of Railroad Electricity System, Woosong University)

Abstract ▼ AI-Helper

Super-junction trench MOSFET (SJ TMOSFET) devices are well known for lower specific on-resistance and high breakdown voltage (BV). For a conventional power MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor) such as trench double-diffused MOSFET (TDMOSFET), there is a tradeoff relationship between specific on-state resistance and breakdown voltage. In order to overcome the tradeoff relationship, a SJ TMOSFET structure is suggested, but sensing the temperature distribution of TMOSFET is very important in the application since heat is generated in the junction area affecting TMOSFET. In this paper, analyzing the temperature characteristics for different number bonding for SJ TMOSFET with an embedded temperature sensor is carried out after designing the diode temperature sensor at the surface of SJ TMOSFET for the class of 100 V and 100 A for a BLDC motor.

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이론/모형

For analyzing the power dissipation, the simulation was carried out by SPICE [10] and the temperature characteristics are accomplished by using ANSYS software [11]. It is shown that the power dissipation when V_drain = 0/5V is concentrated at the center, showing the peak point for one, two and four bondings in Fig.

참고문헌 (11)

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상세보기
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