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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.28 no.10, 2015년, pp.676 - 681
박현정 (순천대학교 인쇄전자공학과) , 이동규 (순천대학교 인쇄전자공학과) , 곽준섭 (순천대학교 인쇄전자공학과)
Recently many studies being carried out to increase the light efficiency of LED. The external quantum efficiency of LED, generally the light efficiency, is determined by the internal quantum efficiency and the light extraction efficiency. The internal quantum efficiency of LED was already reached to...
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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LED의 장점은? | LED (light emitting diode)는 낮은 소비전력, 빠른 반응속도, 작은 크기, 환경 보존적 광원이라는 장점을 가지며 현재 기존의 광원을 대체하여 여러 적용 분야에 사용되고 있다. 대표적인 분야로는 실내외등, 공장 등, 가로등 등 조명기기와 UV-LED를 이용한 다양한 응용제품, 차량 헤드램프 등이 있다. | |
내부양자 효율이란? | LED의 광 효율인 외부 양자효율은 내부 양자효율과 광 추출 효율에 의해서 결정된다 [1-4]. 내부양자 효율은 전기적 에너지가 빛 에너지로 변환되는 효율을 의미하며, 외부 양자효율은 생성된 빛 에너지가 물질 외부로 실제로 탈출하는 효율을 의미한다. 내부 양자효율은 이미 90% 이상의 효율에 도달한 반면 광 추출 효율은 그에 비해 아직 미흡하다. | |
내부 양자효율은 이미 90% 이상의 효율에 도달한 반면 광 추출 효율은 그에 비해 아직 미흡한 이유는? | 내부 양자효율은 이미 90% 이상의 효율에 도달한 반면 광 추출 효율은 그에 비해 아직 미흡하다. 그 이유는 광이 chip 외부로 탈출하기 위해서는 chip과 외부 ambient 사이의 임계각 이하의 각도로 입사해야 하며 만약 임계각 보다 큰 각도로 입사하게 되면 내부전반사에 의해서 광이 외부로 탈출하지 못하고 다시 chip 내부를 향해 이동하기 때문이다. 이러한 과정에서 광 손실이 발생하게 되고 결국 광 추출 효율은 감소하게 된다 [5,6]. 최근 광 추출 효율을 높이기 위해 chip shaping, chip structure (flip chip, vertical chip 등), surface texturing, PSS(patterned sapphire substrate), photonic crystal, anti-reflection layer 등에 대한 연구가 진행되고 있다 [7-12]. |
I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T. J. Gmitter, and A. Scherer, Appl. Phys. Lett., 63, 2174 (1993). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.110575]
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R. Windisch, C. Rooman, S. Meinlschmidt, P. Kiesel, D. Zipperer, G. H. Dohler, B. Dutta, M. Kuijk, G. Borghs, and P. Heremans, Appl. Phys. Lett., 79, 2315 (2001). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1397758]
Y. J. Lee, J. M. Hwang, T. C. Hsu, M. H. Hsieh, M. J. Jou, B. J. Lee, T. C. Lu, and H. C. Kuo, IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 1152 (2006). [DOI: http://dx.doi.org/10.1109/LPT.2006.874737]
K. Orita, S. Tamura, T. Takizawa, T. Ueda, M. Yuri, S. Takigawa, and D. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys., 43, 5809 (2004). [DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.43.5809]
J. K. Kim, S. Chhajed, M. F. Schubert, E. F. Schubert, A. J. Fischer, M. H. Crawford, J. Cho, H. Kim, and C. Sone, Adv. Mater., 20, 801 (2008). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adma.200701015]
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