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NTIS 바로가기조명·전기설비 = The Proceedings of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers, v.30 no.2, 2016년, pp.11 - 16
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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4H-SiC의 장점은? | 4H-SiC는 높은 절연 파괴전압, 높은 열전도도, 높은 전자 포화속도를 가지고 있어 전력 소자로의 응용 면에서 가장 적합하며, 높은 절연 파괴전압은 1kV 이상의 매우 높은 전압 영역에서 단극 소자의 구현을 가능하게 한다. 이는 Si에 비해 10배 이상의 절연 파괴전압을 가지기 때문에 1/10배의 SiC 단결정 박막 두께와 10배의 도핑 농도로 동일한 소자를 제작할 수 있으며, 전력회로에 SiC 단극 소자를 적용할 경우 빠른 스위칭 속도를 얻을 수 있다. | |
4H-SiC는 Si에 비해 어떠한 장점이 있는가? | 4H-SiC는 높은 절연 파괴전압, 높은 열전도도, 높은 전자 포화속도를 가지고 있어 전력 소자로의 응용 면에서 가장 적합하며, 높은 절연 파괴전압은 1kV 이상의 매우 높은 전압 영역에서 단극 소자의 구현을 가능하게 한다. 이는 Si에 비해 10배 이상의 절연 파괴전압을 가지기 때문에 1/10배의 SiC 단결정 박막 두께와 10배의 도핑 농도로 동일한 소자를 제작할 수 있으며, 전력회로에 SiC 단극 소자를 적용할 경우 빠른 스위칭 속도를 얻을 수 있다. 또한 전력 소자에서 발생한 열은 이동도를 감소시켜 손실을 증가시키는 데, 높은 열전도도는 On 상태의 저항 및 스위칭 손실로부터 기인되는 열을 보다 쉽게 확산시켜 소자의 성능을 높일 수 있으며, 소자의 크기를 크게 줄일 수 있다. | |
SiC 반도체의 결정구조는? | SiC 반도체는 실리콘(Si) 원자와 카본(C) 원자 간의 공유결합을 기본으로 한 결정이며, 각각의 원자는 사면체 구조 내에서 4개의 다른 원소와 결합을 하고 있다. 가장 많이 나타나는 상은 3C, 4H, 6H, 그리고 15R 등이며, 특히, 4H가 산업 관점에서 전력 소자용으로 가장 널리 연구되고 있다. |
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