선택한 단어 수는 입니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
선택한 단어 수는 30입니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
---|---|
연구책임자 | 김재수 |
참여연구자 | 윤진국 , 이종권 , 노대호 , 신종철 , 김두용 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 2001-02 |
주관부처 | 과학기술부 |
사업 관리 기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200049551 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
1차 년도에는 Precursor로서 1, 3 Disilabutane을 사용하는 SiC 증착용 LPCVD 장치제작 및 SiC 에피막을 저온. 고속 성장시키기 위한 기초 실험을 수행하여 양질의 에피막을 키우기 위한 증착 조건을 찾는데 있다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.