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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.16 no.1, 2017년, pp.70 - 74
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To research the electrical properties of ZnS thin films with various annealing conditions, ZnS was prepared by RF magnetron sputtering system and annealed in a vacuum for 10 minutes. All films were analyzed by the XRD, PL and I-V measurement system. The XRD pattern of ZnS film annealed at
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| Indium의 독성 저온증착 등의 문제를 해결하기 위해 대체할 수 있는 물질은? | [1-3] 하지만 Indium 의 독성, 저온증착의 어려움, Indium의 희소성, 과도한 열처리로 인한 특성변이의 문제가 발견되고 있다. 이러한 문제를 해결할 방법으로 SnO2, ZTO, ZnO와 같은 물질이 사용되고 있다. 여기에 전도성이 높은 물질을 도핑을 하면서 전도성이 낮은 비 저항을 나타낼 수 있다고 연구가 되었는데, 투명박막의 재료물질을 어떤 물질을 쓰느냐에 따라서 물질의 결정화나 방향성이 다르게 나타나기 때문에 이동도와 면저항의 수치가 다르게 바뀌어져 프로세스의 최적화가 꼭 필요하다. | |
| 높은 사용률과 효과율을 보여주고 있는 물질은 무엇이 있는가? | 1eV 이상의 넓은 밴드 갭, ~10^-4Ω㎝ 이하의 낮은 비 저항을 나타내어야 한다. 현재 가장 높은 사용률과 효과율을 보여주고 있는 물질은 ITO (Indium Tin Oxide), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide)를 예로 들 수 있다.[1-3] 하지만 Indium 의 독성, 저온증착의 어려움, Indium의 희소성, 과도한 열처리로 인한 특성변이의 문제가 발견되고 있다. | |
| 투명전극으로 사용하기 위해 투명박막은 어떤 조건을 갖추어야 하는가? | 투명전극에 사용되는 투명 박막은 높은 광 투과율과 높은 전자농도, 3.1eV 이상의 넓은 밴드 갭, ~10^-4Ω㎝ 이하의 낮은 비 저항을 나타내어야 한다. 현재 가장 높은 사용률과 효과율을 보여주고 있는 물질은 ITO (Indium Tin Oxide), IGZO (Indium Gallium Zinc Oxide)를 예로 들 수 있다. |
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