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A high-performing all-transparent photodetector was created by configuring a $MoO_x$/NiO/ZnO/ITO structure on a glass substrate. The ITO bottom layer was applied as a back contact. To achieve the transparent p/n junction, p-type NiO was coated on the n-type ZnO layer. Reactive sputtering ...

주제어

AI 본문요약
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문제 정의

  • 본 실험에서는 스퍼터를 이용하여 유리 기판 위에 후면 전극 ITO, n-type ZnO, p-type NiO, n-type MoOx의 순서로 각 물질을 증착하여 투명한 광검출기를 제작하여 광학적/전기적 특성을 분석하였다.
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질의응답

핵심어 질문 논문에서 추출한 답변
산화니켈의 장점은? 산화니켈(nikel oxide, NiO)은 3.6~4 eV의 높은 밴드갭을 갖는 p-type 산화물 반도체로써 빠른 반응 속도, 우수한 민감도와 전기전도성, 높은 투과성, 낮은 가격 등의 장점을 갖는다. 산화아연(zinc oxide, ZnO) 은 3.
오늘날 광검출기의 사용 용도는? 오늘날 우주관측, 야간열화상고글의 스캐닝 이미지, 가스 누출 감지, 철도 안전, 보안 모니터 등과 같은 군사 및 일반적 목적을 위한 광검출기(photodetector)가 점점 더 많이 생기고 있다. 그 중에도 투명한 광검출기가 보통의 광검출기에 비해 보다 많은 주목을 받고 있다 [1].
투명한 광검출기가 보통의 광검출기에 비해 보다 많은 주목을 받고 있는 이유는? 그 중에도 투명한 광검출기가 보통의 광검출기에 비해 보다 많은 주목을 받고 있다 [1]. 그 이유는 상업시장의 광범위한 영역에 엄청난 잠재력을 갖으며 상업적인 효과를 지니는 투명 디스플레이, 센서, 플렉서블한 핸드폰, 커브드 디지털 카메라, 접을 수 있는 대면적 디스플레이 등과 같은 다양한 기기에 적용이 가능하기 때문이다. 이러한 광검출기의 실질적인 제작에 있어 이상적인 광검출기는 고감도와 고속반응을 모두 만족해야 한다.
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참고문헌 (17)

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  4. W. Tian, T. Zhai, C. Zhang, S. Li, X. Wang, F. Liu, D. Liu, X. Cai, K. Tsukagoshi, D. Golberg, and Y. Bando, Adv. Mater., 24, 4625 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/adma.201301828] 

  5. M. Bivour, J. Temmler, H. Steinkemper, and M. Hermle, Sol. Energy Mat. Sol. Cells, 142, 34 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2015.05.031] 

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  9. C. Battaglia, X. Yin, M. Zheng, I. D. Sharp, T. Chen, S. Mcdonnell, A. Azcatl, C. Carraro, B. Ma, R. Maboudian, R. M. Wallace, and A. Javey, Nano Lett., 14, 967 (2014). [DOI: http://dx.doi.org/10.1021/nl404389u] 

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  13. R.K.A. Gupta, K. Ghosh, and P. K. Kahol, Phys. E, 41, 617 (2009). [DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.physe.2008.10.013] 

  14. H. Long, G. Fang, H. Huang, X. Mo, W. Xia, B. Dong, X. Meng, H. Long, G. Fang, and X. Mo, Appl. Phys. Lett., 95, 013509 (2013). [DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.3176440] 

  15. W. H. Park, D. K. Ban, H. S. Kim, M. Patel, J. H. Yoo, and J. Kim, Korean Inst. Electr. Electron. Mater, Eng., 29, 445 (2016). [DOI: http://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2016.29.7.445] 

  16. M. Patel, H. S. Kim, H. H. Park, and J. Kim, Sci. Rep., 6 (2016). [DOI: http://dx.doi.org/10.1038/srep25461] 

  17. M. Patel, H. S. Kim, and J. Kim, Adv. Electron. Mater., 1 (2015). [DOI: http://dx.doi.org/10.1002/aelm.201500232] 

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