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韓國電磁波學會論文誌 = The journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science, v.28 no.10, 2017년, pp.832 - 835
김동욱 (성균관대학교 정보통신대학) , 서현우 (성균관대학교 정보통신대학) , 김준성 (성균관대학교 정보통신대학) , 김병성 (성균관대학교 정보통신대학)
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In this paper, V-band differential low noise amplifier(LNA) using 65-nm CMOS process for high speed wireless data communication is presented. The LNA is composed of 3-stage common-source differential amplifiers with neutralization of feedback capacitances using MOS capacitors and impedance matching ...
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| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 데이터 통신용 수신기가 되기위해 요구되는특징은? | 데이터 통신용 수신기는 높은 변환 이득, 넓은 대역폭, 낮은 잡음지수와 높은 선형성이 요구된다. 따라서 수신기 가장 앞 단에 오는 능동회로인 저잡음 증폭기는 수신기 전체의 잡음지수를 낮추기 위해 높은 이득과 낮은 잡음지수를 갖도록 설계해야 한다. | |
| 수신기 가장 앞 단에 오는 저잡음 증폭기는 어떻게 설계되어야 하는가? | 데이터 통신용 수신기는 높은 변환 이득, 넓은 대역폭, 낮은 잡음지수와 높은 선형성이 요구된다. 따라서 수신기 가장 앞 단에 오는 능동회로인 저잡음 증폭기는 수신기 전체의 잡음지수를 낮추기 위해 높은 이득과 낮은 잡음지수를 갖도록 설계해야 한다. 또한 선형성을 개선하기 위하여 수동 하향변환 믹서를 사용하는 경우, 20dB 이상의 이득을 가지는 고이득 저잡음 증폭기를 사용하여야 수신기가 충분히 높은 변환 이득과 낮은 잡음지수를 가질 수 있다. | |
| 데이터 통신용 수신기의 선형성을 개선하여 얻을수 있는 이점은? | 따라서 수신기 가장 앞 단에 오는 능동회로인 저잡음 증폭기는 수신기 전체의 잡음지수를 낮추기 위해 높은 이득과 낮은 잡음지수를 갖도록 설계해야 한다. 또한 선형성을 개선하기 위하여 수동 하향변환 믹서를 사용하는 경우, 20dB 이상의 이득을 가지는 고이득 저잡음 증폭기를 사용하여야 수신기가 충분히 높은 변환 이득과 낮은 잡음지수를 가질 수 있다. |
K. Okada et al., "Full four-channel 6.3-Gb/s 60-GHz CMOS transceiver with low-power analog and digital baseband circuitry" in IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 48, no. 1, pp. 46-65, Jan. 2013.
L. Kuang et al., "A fully integrated 60-GHz 5-Gb/s QPSK transceiver with T/R switch in 65-nm CMOS," in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 62, no. 12, pp. 3131-3145, Dec. 2014.
H. Asada, K. Matsushita, K. Bunsen, K. Okada and A. Matsuzawa, "A 60 GHz CMOS power amplifier using capacitive cross-coupling neutralization with 16 % PAE," 2011 6th European Microwave Integrated Circuit Conference, Manchester, pp. 554-557, 2011.
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H. H. Hsieh, P. Y. Wu, C. P. Jou, F. L. Hsueh and G. W. Huang, "60 GHz high-gain low-noise amplifiers with a common-gate inductive feedback in 65 nm CMOS," 2011 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium, Baltimore, MD, pp. 1-4, 2011.
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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