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NTIS 바로가기전기전자학회논문지 = Journal of IKEEE, v.22 no.4, 2018년, pp.1234 - 1237
성민제 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 강민재 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 김홍기 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 김성준 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 이정윤 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 이원범 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 이남석 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH)) , 신훈규 (National Institute for Nanomaterials Technology, Pohang University of Science and Technology (POSTECH))
For 4H-SiC trench MOSFET which can reduce on-resistance and switching losses compared to 4H-SiC planar MOSFET, the optimization study for decrease of sub-trench was carried out. In order to decrease sub-trench, Ar reshape process was used and trench shapes were observed as a function of temperature ...
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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트렌치 영역 모서리에 전계 집중을 개선하기 위한 방안은? | 또한 트렌치 바닥면의 마이크로 트렌치(Sub-trench)는 트렌치 영역 모서리에 전계 집중(Field crowding)을 유발해 항복전압을 감소시킨다. 따라서 trench MOSFET을 구현함에 있어서 트렌치 영역의 측벽과 바닥면을 둥글게 교정하는 reshape 공정은 필수적이다. 현재 트렌치 reshape 공정은 대부분 1400℃ 이상의 온도에서 수소 분위기 열처리로 진행되고 있다 [2]. | |
SiC MOSFET의 활용 분야는? | 실리콘 카바이드(SiC)는 Si 대비 3배 정도 넓은 밴드 갭으로 인해 높은 임계 전계 및 우수한 물성을 가지고 있어 금속 산화물 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 같은 고전력 반도체 소자에 광범위하게 적용되고 있다. SiC 기반 쇼트키 장벽 다이오드(Schottky Barrier Diode)는 상용화 수준까지 기술이 개발되었으며, SiC MOSFET의 경우 상용화 수준까지는 아니지만 인버터 및 파워 회로에 시연되고 있다. Trench MOSFET은 Planar MOSFET의 온-저항(Ron)을 획기적으로 낮출 수 있기 때문에 SiC 기반 분야에서도 개발이 활발히 진행되고 있다 [1]. | |
실리콘 카바이드의 특징은? | 실리콘 카바이드(SiC)는 Si 대비 3배 정도 넓은 밴드 갭으로 인해 높은 임계 전계 및 우수한 물성을 가지고 있어 금속 산화물 반도체 트랜지스터(MOSFET)와 같은 고전력 반도체 소자에 광범위하게 적용되고 있다. SiC 기반 쇼트키 장벽 다이오드(Schottky Barrier Diode)는 상용화 수준까지 기술이 개발되었으며, SiC MOSFET의 경우 상용화 수준까지는 아니지만 인버터 및 파워 회로에 시연되고 있다. |
A. K. Agarwal, J. B. Casady, L. B. Rowland, W. F. Valek, M. H.White, and C. D. Brand: IEEE Electron Device Lett. 18, 586, 1997.
A. Takatsuka, Y. Tanaka, K. Yano, T. Yatsuo, Y. Ishida, and K. Arai: Jpn. J. Appl. Phys. 48, 041105. 2009.
Y. Kawada, T. Tawara, S. Nakamura, T. Tamori, and N. Iwamuro : Jpn. J. Appl. Phys. 48, 116508, 2009.
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